【I910680】氣體感測器及其製造方法

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【I910680】氣體感測器及其製造方法

書目

公告號	I910680 公開202601103
公告日	2026/01/01
公報卷期	53-01
證書號	I910680
申請號	113122744 E
申請日	2024/06/19
公報IPC	G01N 27/12(2006.01); C23C 14/34(2006.01); G01N 1/22(2006.01)
當前IPC	G01N 27/12(2006.01); C23C 14/34(2006.01); G01N 1/22(2006.01)
申請人	國立高雄科技大學高雄市三民區建工路415號 (中華民國); NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY NO. 415,JIANGONG RD., SANMIN DIST., KAOHSIUNG CITY 80778, TAIWAN (R.O.C.) (TW)
申請人標準名稱	國立高雄科技大學; NATIONAL KAOHSIUNG UNIV OF SCIENCE AND TECH
當前專利權人	國立高雄科技大學; NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
專利權人標準名稱	國立高雄科技大學; NATIONAL KAOHSIUNG UNIV OF SCIENCE AND TECH
發明人	蕭育仁 (中華民國); HSIAO, YU-JEN (TW)
代理人	許智為; 李威聰
當前代理人	許智為; 李威聰
審查委員	林佑霖
摘要	本揭露書提出一種氣體感測器，包括：基版、感測電極、感測層。感測電極位於基板上方，感測層設置於感測電極上且感測電極的兩側露出於感測層外。感測層包括p型半導體層和n型半導體層，其中p型半導體層位於n型半導體層上方，且該p型半導體層表面具有複數個三角形結構。

參考文獻

引用專利	CN104569061A E; CN117783217A E; TW201413241A; TW202215039A; US2001/0015319A1 E

專利範圍

專利範圍

1.一種用於檢測NO2之氣體感測器，包括：一基板；一感測電極位於該基板上方；一感測層設置於該感測電極上且該感測電極的兩側露出於該感測層外，其中該感測層包括一p型半導體層和一n型半導體層，該p型半導體層位於該n型半導體層上方，且該p型半導體層的表面具有複數個三角錐結構，其中，該n型半導體層的材料為二氧化錫，該p型半導體層的材料為氧化銅；其中，該n型半導體層係於一供電電壓為350 伏特、一工作電流為0.051 安培、一通電時間為20 μs、一斷電時間為 20 μs、一第一氬氣流量為17 sccm和一第一氧氣流量為3 sccm之條件下獲得；其中該p型半導體層係於一第二氬氣流量為30 sccm、一第二氧氣流量為1 sccm及一工作壓力為8x10-3 托之條件下獲得。

2.如請求項1所述之氣體感測器，其中該三角錐結構的底面寬度為20奈米至30奈米，該三角錐結構的底面與該三角錐結構的頂點之距離為10奈米至20奈米，該三角錐結構之截面的頂點兩邊之夾角為30度至45度。

3.如請求項1所述之氣體感測器，其中該氣體感測器還包括一絕緣層和一加熱電極，該絕緣層和該加熱電極位於該基板和該感測電極之間，且該絕緣層設置於該加熱電極與該感測電極之間，且連接該加熱電極與該感測電極。

4.如請求項3所述之氣體感測器，其中該絕緣層對齊該感測電極，該感測電極的兩側與該加熱電極的兩側錯開，且該加熱電極的兩側露出於該絕緣層。

5.如請求4所述之氣體感測器，其中該感測電極垂直於該加熱電極。

6.一種NO2氣體感測器的製造方法，包括：於一機臺中提供一基板，其中該基板上依序包括一加熱電極、一絕緣層和一感測電極；以一電離物理氣相沈積方式將一n型半導體層形成於該感測電極上；以一濺鍍方式將一p型半導體層形成於該n型半導體層上，其中該p型半導體層的表面具有複數個三角錐結構，其中，該n型半導體層的材料為二氧化錫，該p型半導體層的材料為氧化銅；其中該機臺中提供該電離物理氣相沈積方式之一供電電壓為350伏特，一工作電流為0.051安培，一通電時間為20μs，一斷電時間為20μs，一氬氣流量為17sccm，一氧氣流量為3sccm，其中該機臺提供該濺鍍方式之該氬氣流量為30sccm，該氧氣流量為1sccm，且該機臺內的一工作壓力為8x10-3托。

7.如請求項6所述之氣體感測器的製造方法，其中該機臺中之一靶材與該基板之間的距離為10至15公分。

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