【M677892】薄膜氣體感測器

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【M677892】薄膜氣體感測器

書目

公告號	M677892
公告日	2025/12/11
公報卷期	52-35
證書號	M677892
申請號	114204066 E
申請日	2025/04/23
公報IPC	G01N 27/04(2006.01); G01N 27/12(2006.01)
當前IPC	G01N 27/04(2006.01); G01N 27/12(2006.01)
申請人	國立高雄科技大學高雄市三民區建工路415號 (中華民國); NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY NO. 415,JIANGONG RD., SANMIN DIST., KAOHSIUNG CITY 80778, TAIWAN (R.O.C.) (TW)
申請人標準名稱	國立高雄科技大學; NATIONAL KAOHSIUNG UNIV OF SCIENCE AND TECH
當前專利權人	國立高雄科技大學; NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
專利權人標準名稱	國立高雄科技大學; NATIONAL KAOHSIUNG UNIV OF SCIENCE AND TECH
發明人	蕭育仁 (中華民國); HSIAO, YU-JEN (TW)
代理人	許智為; 李威聰
當前代理人	許智為; 李威聰
摘要	一種薄膜氣體感測器，其包含：一基板；一感測層，設置於基板一側之表面，其包含一局部退火區域，設置於該感測層遠離該基板之一側，且該些局部退火區域的表面結晶結構對氣體具有較高的靈敏度與選擇性。

專利範圍

專利範圍

1.一種薄膜氣體感測器，其包含：一基板；一感測層，設置於基板一側之表面，其包含一局部退火區域，設置於該感測層遠離該基板之一側，用以感測一氣體。

2.如請求項1所述之薄膜氣體感測器，其中該基板包含矽或鍺。

3.如請求項1所述之薄膜氣體感測器，該感測層包含氧化銦、氧化錫、氧化銦鋅、氧化銦錫、氧化鎢或其組合。

4.如請求項3所述之薄膜氣體感測器，該感測層包含氧化銦及氧化錫之組合，其中該氧化銦與該氧化錫之組份比為7:3至9:1。

5.如請求項1所述之薄膜氣體感測器，其中組成該局部退火區域之顆粒粒徑範圍介於12至20 nm。

6.如請求項1所述之薄膜氣體感測器，其中該局部退火區域之平均表面粗糙度範圍介於6至10 nm。

7.如請求項1所述之薄膜氣體感測器，其中該氣體包含二氧化氮。

8.如請求項1所述之薄膜氣體感測器，其更包含一保護層，設置於該基板與該感測層之間，用以保護基板不受侵蝕。

9.如請求項8所述之薄膜氣體感測器，其中該保護層包含二氧化矽、氮化矽、氮化棚、氧化鋁、氧化鉿或其組合。

10.如請求項8所述之薄膜氣體感測器，其更包含一電極層，設置於該保護層與該感測層之間，以電性連接該感測層。

11.如請求項10所述之薄膜氣體感測器，該電極層包含鈦、鉑、銀、金、銅、鎢或其組合。

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