【I865894】微機電系統聲學感測器的製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING MEMS ACOUSTIC SENSOR

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【I865894】微機電系統聲學感測器的製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING MEMS ACOUSTIC SENSOR

書目

公告號	I865894 公開202404890
公告日	2024/12/11
公報卷期	51-35
證書號	I865894
申請號	111127040 E
申請日	2022/07/19
公報IPC	B81B 7/02(2006.01)
當前IPC	B81B 7/02(2006.01)
申請人	國立高雄科技大學高雄市三民區建工路415號 (中華民國); NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY NO.415, JIANGONG RD., SANMIN DIST., KAOHSIUNG CITY 807618, TAIWAN (R.O.C.) (TW)
當前專利權人	國立高雄科技大學; NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
發明人	楊政達 (中華民國); YANG, CHENG-TA (TW)
代理人	王立成; 余宗學
當前代理人	王立成; 余宗學
審查委員	陳志弘
摘要	一種微機電系統聲學感測器的製造方法，包含：在一基板上方形成一絕緣層與二第一電極層，該二第一電極層互相間隔排列；佈設一第一犧牲層在該絕緣層與該二第一電極層上方，並使該第一犧牲層在相對於該二第一電極層的上方分別形成至少一第一凹槽；在該第一犧牲層與該至少二第一凹槽上方佈設一第二犧牲層，在該第二犧牲層形成間隔設置的二第二凹槽，並使該二第二凹槽分別與相對應的至少一第一凹槽相連通，以形成二槽體空間；將一材料分別填充至該二槽體空間，以形成二第二電極層；及移除所有的第一犧牲層與第二犧牲層。

參考文獻

引用專利	TWI469913B; TWI547181B

專利範圍

專利範圍

1.一種微機電系統聲學感測器的製造方法，包含：提供一基板；在該基板上方形成至少一絕緣層；在該至少一絕緣層上方形成二第一電極層，該二第一電極層互相間隔排列；佈設一第一犧牲層在該絕緣層與該二第一電極層上方，並使該第一犧牲層在相對於該二第一電極層的上方分別形成至少一第一凹槽，該至少二第一凹槽分別暴露出該二第一電極層的至少一部分頂表面；在該第一犧牲層與該至少二第一凹槽上方佈設一第二犧牲層，在該第二犧牲層形成間隔設置的二第二凹槽，並使該二第二凹槽分別與相對應的至少一第一凹槽相連通，以形成二槽體空間；將一材料分別填充至該二槽體空間，以形成二第二電極層；及移除所有的第一犧牲層與第二犧牲層，並在該二第一電極層與該二第二電極層之間形成一聲流通道。

2.如請求項1所述之微機電系統聲學感測器的製造方法，其中，該基板包含一矽基層，該矽基層之材料為矽、矽鍺、碳化矽、玻璃襯底或三五族化合物半導體。

3.如請求項1所述之微機電系統聲學感測器的製造方法，其中，該第一犧牲層與該第二犧牲層分別包含氮化矽、氧化矽與厚光阻。

4.如請求項1所述之微機電系統聲學感測器的製造方法，其中，該絕緣層由氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、介電係數落在2.5~3.9的一低介電係數材料，或是介電係數小於2.5的一超低介電係數材料。

5.如請求項1所述之微機電系統聲學感測器的製造方法，其中，該二第一電極層係由金、鎳、鉑、鈀、銥、鈦、鉻、鎢、鋁或銅這些金屬、金屬化合物或摻雜離子的半導體材料所製成。

6.如請求項1所述之微機電系統聲學感測器的製造方法，其中，形成該二第二電極層的材料係為一帶電性高分子材料或一導電性高分子材料。

7.如請求項1所述之微機電系統聲學感測器的製造方法，其中，透過電鑄、射出成型或3D列印這些製程方法，以形成該二第二電極層。

8.如請求項1所述之微機電系統聲學感測器的製造方法，其中，係採用過蝕刻方式，使該二第二凹槽分別與相對應的至少一第一凹槽相連通，以形成該二槽體空間。

9.如請求項8所述之微機電系統聲學感測器的製造方法，其中，該過蝕刻與移除所有的第一犧牲層與第二犧牲層的蝕刻方式為一乾式蝕刻製程或一濕式蝕刻製程。

10.如請求項1所述之微機電系統聲學感測器的製造方法，其中，形成該二槽體空間的所有側壁分別垂直於該絕緣層。

11.如請求項1所述之微機電系統聲學感測器的製造方法，其中，形成該二槽體空間且各自朝向該聲流通道之側壁分別垂直於該絕緣層，形成該二槽體空間且各自背離該聲流通道之側壁，分別沿著該聲流通道的一聲流方向形成漸擴之一第一弧面，再由該第一弧面之表面連續延伸以形成漸縮之一第二弧面，在移除所有的第一犧牲層與第二犧牲層之後，形成一翼形態樣的二第二電極層。

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