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【I854623】三維結構室溫氣體感測器 THREE-DIMENSIONAL STRUCTURED ROOM TEMPERATURE GAS SENSOR
| 公告號 | I854623 |
| 公告日 | 2024/09/01 |
| 公報卷期 | 51-25 |
| 證書號 | I854623 |
| 申請號 | 112116297 E |
| 申請日 | 2023/05/02 |
| 公報IPC | G01N 27/12(2006.01) |
| 當前IPC | G01N 27/12(2006.01) |
| 申請人 | 國立高雄科技大學 高雄市三民區建工路415號 (中華民國); NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY NO.415, JIANGONG RD., SANMIN DIST., KAOHSIUNG CITY (TW) |
| 當前專利權人 | 國立高雄科技大學; NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY |
| 發明人 | 薛丁仁 (中華民國); HSUEH, TING JEN (TW); 葉祐名 (中華民國); YEH, YU MING (TW); 王品翔 (中華民國); WANG, PIN HSIANG (TW); 林依庭 (中華民國); LIN, YI TING (TW) |
| 代理人 | 陳豐裕 |
| 當前代理人 | 陳豐裕 |
| 審查委員 | 林永昌 |
| 摘要 | 本發明係有關於一種三維結構室溫氣體感測器，其主要係令基座貫穿形成有數貫孔，於基座表面及各貫孔內緣設置有絕緣層，且於絕緣層外端面設置有感測層，再於對應基座上、下端面皆設有電極層，令電極層與感測層相接觸連接；藉此，令其在使用上係為針對於室溫環境下，無需另行加熱，使得不僅能大幅度的降低消耗功率更能夠節省能源，且若能與智慧型手機做結合的話，依照目前全球手機用戶來計算，這將大大減少能耗，並若是在醫材使用上，無須加熱的感測器也相對較具有安全性，而在其整體施行使用上更增實用功效特性者。 |
| 引用專利 | CN106198631A E; CN110892497A E; TW201809654A; TW202016535A; TW202136768A; US2015/0263647A1 E |
專利範圍 
| 專利範圍 | 1.一種三維結構室溫氣體感測器，其主要係包括有基座、絕緣層、感測層及電極層；其中： 該基座貫穿形成有數貫孔，於該基座表面及各該貫孔內緣設置有該絕緣層，且於該絕緣層外端面設置有該感測層，再於對應該基座上、下端面皆設有該電極層，令該電極層與該感測層相接觸連接。 2.如請求項1所述三維結構室溫氣體感測器，其中，該基座為矽［Si］材質。 3.如請求項1所述三維結構室溫氣體感測器，其中，該基座係為設置光阻劑［photoresist］或鋁［Al］金屬所形成的阻隔層，經由曝光顯影及蝕刻作業，而在該基座貫穿形成有各該貫孔。 4.如請求項3所述三維結構室溫氣體感測器，其中，該蝕刻作業係為濕式蝕刻、乾式蝕刻任一種。 5.如請求項1所述三維結構室溫氣體感測器，其中，該絕緣層為氧化矽［SiO 2］、氧化鋁［Al 2O 3］、氮化鋁［AlN］、氮化矽［SiN x］任一種或複數種所堆疊組成。 6.如請求項1所述三維結構室溫氣體感測器，其中，該感測層係為金屬氧化物半導體。 7.如請求項1或6所述三維結構室溫氣體感測器，其中，該感測層係為氧化鋅［ZnO］、二氧化錫［SnO ２］、氧化銅［CuO］、三氧化二鐵［Fe 2O 3］、三氧化鎢［WO 3］、二氧化鈦［TiO 2］、氧化鎵［Ga 2O 3］、氧化銦［In 2O 3］任一種。 8.如請求項1所述三維結構室溫氣體感測器，其中，該絕緣層與該感測層係為利用蒸鍍沉積、濺鍍沉積、原子層沈積［Atomic Layer Deposition，ALD］、化學氣相沉積［Chemical Vapor Deposition，CVD］、電漿輔助化學氣相沉積［Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD］、電化學沉積、金屬熱氧化任一種技術予以成形。 9.如請求項1所述三維結構室溫氣體感測器，其中，該電極層係為金屬材質。 10.如請求項1或9所述三維結構室溫氣體感測器，其中，該電極層係為鈦［Ti］、金［Au］、鉻［Cr］、銅［Cu］、錫［Sn］、鉑［Pt］、鋁［Al］任一種或複數種所堆疊組成。 |
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