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【I823020】導電高分子光纖感測裝置及其製造方法

書目
公告號 I823020 公開202206562
公告日 2023/11/21
公報卷期 50-33
證書號 I823020
申請號 109127415 E
申請日 2020/08/12
公報IPC C09D 165/00(2006.01); C09D 5/24(2006.01); C09D 125/18(2006.01); G01J 3/42(2006.01); G01K 11/32(2021.01); G01N 21/41(2006.01); G01N 21/77(2006.01); G01N 27/12(2006.01); G02B 6/02(2006.01); H01B 1/12(2006.01); H01B 13/00(2006.01)
當前IPC C09D 165/00(2006.01); C09D 5/24(2006.01); C09D 125/18(2006.01); G01J 3/42(2006.01); G01K 11/32(2021.01); G01N 21/41(2006.01); G01N 21/77(2006.01); G01N 27/12(2006.01); G02B 6/02(2006.01); H01B 1/12(2006.01); H01B 13/00(2006.01)
申請人 國立高雄科技大學 高雄市三民區建工路415號 (中華民國);
NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 415 CHIEN-KUNG RD., KAOHSIUNG, TAIWAN (TW)
當前專利權人 國立高雄科技大學; NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
發明人 溫新宜 (中華民國); WEN, HSIN YI (TW);
江家慶 (中華民國); CHIANG, CHIA CHIN (TW);
許雅淳 (中華民國); HSU, YA CHUN (TW)
代理人 顏豪呈; 王志中
當前代理人 顏豪呈; 王志中
審查委員 李惟德
摘要 一種導電高分子光纖感測裝置之製造方法包含：製備一光纖光柵感測器，且該光纖光柵感測器具有至少一個或數個預定感測表面位置；於該光纖光柵感測器之預定感測表面位置塗覆至少一增益感測材料，且該增益感測材料包含至少一導電高分子材料；於該光纖光柵感測器之預定感測表面位置由一已塗覆增益感測材料形成至少一表面增益感測層；及於該光纖光柵感測器之預定感測表面位置利用一溫度、一濕度或一折射率用以導致該表面增益感測層之光、電子及其周圍折射率產生變化。

參考文獻
引用專利 TW200601647A
引用非專利 期刊 Sobaszek, Michał, et al. "Enhancing electrochemical properties of an ITO-coated lossy-mode resonance optical fiber sensor by electrodeposition of PEDOT: PSS." "Enhancing electrochemical properties of an ITO-coated lossy-mode resonance optical fiber sensor by electrodeposition of PEDOT: PSS." Vol. 9, Issue 7 Optical Materials Express June. 2019 pages 3069-3078

專利範圍   原始格式 
專利範圍 1.一種導電高分子光纖感測裝置之製造方法，其包含：製備一光纖光柵感測器，且該光纖光柵感測器具有至少一個或數個預定感測表面位置；於該光纖光柵感測器之預定感測表面位置塗覆至少一增益感測材料，且該增益感測材料包含至少一導電高分子材料，且該導電高分子材料具有一鏈狀結構；於該光纖光柵感測器之預定感測表面位置由一已塗覆增益感測材料形成至少一具鏈狀結構之表面增益感測層；及於該光纖光柵感測器之預定感測表面位置利用一溫度、一濕度或一折射率用以導致該具鏈狀結構之表面增益感測層之光、電子及其周圍折射率產生變化，且該導電高分子材料之鏈狀結構產生熱膨脹現象，進而提升該光纖光柵感測器之靈敏度。

2.依申請專利範圍第1項所述之導電高分子光纖感測裝置之製造方法，其中該具鏈狀結構之表面增益感測層產生一折射率變化及一電阻值變化，並於該光纖光柵感測器產生一波長飄移現象，且該具鏈狀結構之表面增益感測層包含一吸收濕氣材料，以便量測一濕度值。

3.依申請專利範圍第1項所述之導電高分子光纖感測裝置之製造方法，其中該光纖光柵感測器可產生一熱膨脹及冷收縮現象或一尺寸型態變化。

4.依申請專利範圍第1項所述之導電高分子光纖感測裝置之製造方法，其中該具鏈狀結構之表面增益感測層產生一折射率變化及一電阻值變化，並於該光纖光柵感測器產生一波長飄移現象，且該具鏈狀結構之表面增益感測層包含一吸收熱量材料或一吸收水分子材料，以便量測一溫度值、一折射率值、一物理變化值或一化學變化值。

5.依申請專利範圍第1項所述之導電高分子光纖感測裝置之製造方法，其中該具鏈狀結構之表面增益感測層之導電高分子材料允許數個水分子進入，且該水分子與硫酸根離子形成數個氫鍵。

6.一種導電高分子光纖感測裝置，其包含：至少一光纖光柵感測器，其具有至少一個或數個預定感測表面位置；至少一增益感測材料，其塗覆於該光纖光柵感測器之預定感測表面位置上，且該增益感測材料包含至少一導電高分子材料，且該導電高分子材料具有一鏈狀結構；及至少一具鏈狀結構之表面增益感測層，其由一已塗覆增益感測材料形成於該光纖光柵感測器之預定感測表面位置上；其中於該光纖光柵感測器之預定感測表面位置利用一溫度、一濕度或一折射率用以導致該具鏈狀結構之表面增益感測層之光、電子及其周圍折射率產生變化，且該導電高分子材料之鏈狀結構產生熱膨脹現象，進而提升該光纖光柵感測器之靈敏度。

7.依申請專利範圍第6項所述之導電高分子光纖感測裝置，其中該光纖光柵感測器選自一可調布拉格光纖光柵感測器或一傾斜式布拉格光纖光柵感測器。

8.依申請專利範圍第6項所述之導電高分子光纖感測裝置，其中該增益感測材料選自一PEDOT/PSS導電高分子材料或一含PEDOT/PSS導電高分子材料。

9.依申請專利範圍第6項所述之導電高分子光纖感測裝置，其中數個該預定感測表面位置形成數個功能物理量之量測點。

10.依申請專利範圍第6項所述之導電高分子光纖感測裝置，其中該具鏈狀結構之表面增益感測層選自一複合多層式表面增益感測層。
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