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【I816360】非制冷型紅外線感測器
| 公告號 | I816360 |
| 公告日 | 2023/09/21 |
| 公報卷期 | 50-27 |
| 證書號 | I816360 |
| 申請號 | 111113743 E |
| 申請日 | 2022/04/11 |
| 公報IPC | G01J 5/10(2006.01) |
| 當前IPC | G01J 5/10(2006.01) |
| 申請人 | 國立高雄科技大學 高雄市三民區建工路415號 (中華民國) (TW) |
| 當前專利權人 | 國立高雄科技大學 |
| 發明人 | 陳忠男 (中華民國) (TW); 李珀賢 (中華民國) (TW) |
| 代理人 | 閻啓泰; 林景郁 |
| 審查委員 | 曾錦豐 |
| 摘要 | 一種非制冷型紅外線感測器，包含基板及懸浮結構。懸浮結構形成於基板上方，且與基板之間形成空穴。懸浮結構包含有由下而上依序堆疊的第一介電質層、第二介電質層及第三介電質層。第一介電質層內設有溫度感測單元。第二介電質層內設有紅外線反射層。本發明非制冷型紅外線感測器可利用晶圓代工廠大量生產，且懸浮結構具有複數孔洞、雙材料介電質層與紅外線反射層的設計，雙材料的設計可增加紅外線吸收的波長範圍，孔洞及紅外線反射層的設計可增加紅外線在非制冷型紅外線感測器中的吸收路徑，故可藉由提高紅外線的吸收率來大幅提升非制冷型紅外線感測器之靈敏度。 |
| 引用專利 | CN104535197A E; CN108885137A E; CN112393806A E; CN202329818U E; TW201728882A; TW202120893A |
專利範圍 
| 專利範圍 | 1.一種非制冷型紅外線感測器，包含： 一基板； 一懸浮結構，形成於該基板的上方；其中該懸浮結構與該基板之間形成一空穴，且該懸浮結構包含： 一第一介電質層，設置於該基板的上方； 一溫度感測單元，設置於該第一介電質層內； 一第二介電質層，設置於該第一介電質層的上方； 一紅外線反射層，設置於該第二介電質層內； 一第三介電質層，係由至少一薄膜組成，且設置於該第二介電質層的上方；其中該第三介電質層的該至少一薄膜與第二介電質層之材料成分不同； 複數孔洞，係由該第三介電質層之上表面向下蝕刻而形成。 2.如請求項1所述之非制冷型紅外線感測器，其中該基板之材料為單晶矽。 3.如請求項1所述之非制冷型紅外線感測器，其中該第一介電質層包含至少一氧化矽薄膜。 4.如請求項1所述之非制冷型紅外線感測器，其中該第二介電質層包含至少一氧化矽薄膜。 5.如請求項1所述之非制冷型紅外線感測器，其中該第三介電質層包含至少一氮化矽薄膜。 6.如請求項1所述之非制冷型紅外線感測器，其中該紅外線反射層之材料為金屬、合金、金屬氧化物或金屬矽化物。 7.如請求項1所述之非制冷型紅外線感測器，其中該些孔洞的孔徑大小為1微米至30微米之間； 其中該些孔洞之間的間距大小為1微米至30微米之間； 其中該些孔洞的深度至少為0.5微米。 8.如請求項7所述之非制冷型紅外線感測器，其中該些孔洞的形狀為任意形狀。 9.如請求項1所述之非制冷型紅外線感測器，其中該溫度感測單元為一熱敏阻單元(bolometer element)。 10.如請求項1所述之非制冷型紅外線感測器，其中該溫度感測單元為一熱電堆單元(thermopile element)。 11.如請求項1所述之非制冷型紅外線感測器，其中該溫度感測單元為一焦電單元(pyroelectric element)。 |
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