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【I814560】可撓式壓力感測器
| 公告號 | I814560 |
| 公告日 | 2023/09/01 |
| 公報卷期 | 50-25 |
| 證書號 | I814560 |
| 申請號 | 111132855 E |
| 申請日 | 2022/08/31 |
| 公報IPC | H01L 41/18(2006.01); B81B 7/00(2006.01); G01L 9/00(2006.01) |
| 當前IPC | H01L 41/18(2006.01); B81B 7/00(2006.01); G01L 9/00(2006.01) |
| 申請人 | 國立高雄科技大學 高雄市三民區建工路415號 (中華民國); NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY NO.415, JIANGONG RD., SANMIN DIST., KAOHSIUNG CITY 807618, TAIWAN (R.O.C.) (TW) |
| 當前專利權人 | 國立高雄科技大學; NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY |
| 發明人 | 郭文正 (中華民國); KUO, WEN CHENG (TW); 吳祥宇 (中華民國); WU, HSIANG-YU (TW); 洪崧成 (中華民國); HONG, SONG-CHENG (TW) |
| 代理人 | 陳瑞田; 金玉書 |
| 審查委員 | 林士淵 |
| 摘要 | 一種可撓式壓力感測器，係以半導體製程製作形成，其包括：基底層，其為高分子材料，具有可撓性，更包括第一配置區及第二配置區，於第一配置區及第二配置區間的假想折疊線位置，將基底層折疊，使第一配置區位於第二配置區上方；第一電極層，沉積於第一配置區上；第二電極層，沉積於第二配置區上，對應於第一電極層位置下方，用以取得壓力感測值；電感線圈，沉積於第二配置區上，並圍繞於第二電極層四周；以及高分子膜材層，塗布於基底層表面上方，用以形成介電質。 |
| 引用專利 | US2021/0294443A1 E |
專利範圍 
| 專利範圍 | 1.一種可撓式壓力感測器，係以半導體製程製作形成，其包括：一基底層，其為高分子材料，具有可撓性，更包括一第一配置區及一第二配置區，於該第一配置區及該第二配置區間的一假想折疊線位置，將該基底層折疊，使該第一配置區位於該第二配置區上方；一第一電極層，沉積於該第一配置區上；一第二電極層，沉積於該第二配置區上，對應於該第一電極層位置下方，用以取得一壓力感測值；一電感線圈，沉積於該第二配置區上，並圍繞於該第二電極層四周；以及一高分子膜材層，塗布於該基底層表面上方，用以形成一介電質；其中，該第一電極層、該第二電極層以及該電感線圈同時沉積於該基底層，透過微影與蝕刻製程形成於該第一配置區及該第二配置區上；其中，該基底層為一柔性聚對二甲苯(Parylene)基材。 2.如申請專利範圍第1項所述的可撓式壓力感測器，其中該柔性聚對二甲苯基材為一C型聚對二甲苯(Parylene C)、一D型聚對二甲苯(Parylene D)、一N型聚對二甲苯(Parylene N)其中之一或其組合。 3.如申請專利範圍第1項所述的可撓式壓力感測器，其中該第一電極層以及該第二電極層為一可撓金屬薄膜電極。 4.如申請專利範圍第1項所述的可撓式壓力感測器，其中該第一電極層以及該第二電極層設置於上下相對應位置，形成一電極對，用以取得一感應電容。 5.如申請專利範圍第4項所述的可撓式壓力感測器，其中該高分子膜材層透過外部壓力改變，使該電極對間的該感應電容產生變化，用以取得該壓力感測值。 6.如申請專利範圍第5項所述的可撓式壓力感測器，其中該感應電容產生變化時，利用一LC電路震盪技術，使一共振頻率改變，用以計算出該壓力感測值。 7.如申請專利範圍第1項所述的可撓式壓力感測器，其中該壓力感測值利用一無線感應方式，透過一外部線圈與該電感線圈形成互感，用以取得該可撓式壓力感測器的該壓力感測值。 8.如申請專利範圍第1項所述的可撓式壓力感測器，其中該高分子膜材層為一多孔聚二甲基矽氧烷薄膜。 |
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