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【I805146】黑色二氧化鈦薄膜的製備方法
| 公告號 | I805146 |
| 公告日 | 2023/06/11 |
| 公報卷期 | 50-17 |
| 證書號 | I805146 |
| 申請號 | 110148249 E |
| 申請日 | 2021/12/22 |
| 公報IPC | C03C 17/25(2006.01); B01J 21/06(2006.01); B01J 35/02(2006.01); B01J 37/02(2006.01); B01J 37/34(2006.01); C01G 23/047(2006.01); H01J 37/32(2006.01) |
| 當前IPC | C03C 17/25(2006.01); B01J 21/06(2006.01); B01J 35/02(2006.01); B01J 37/02(2006.01); B01J 37/34(2006.01); C01G 23/047(2006.01); H01J 37/32(2006.01) |
| 申請人 | 國立高雄科技大學 高雄市三民區建工路415號 (中華民國); NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY NO. 415, CHIENKUNG RD., SANMIN DIST., KAOHSIUNG CITY 807, TAIWAN (R. O. C.) (TW) |
| 當前專利權人 | 國立高雄科技大學; NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY |
| 發明人 | 陳弘穎 (中華民國); CHEN, HONG YING (TW); 林立洋 (中華民國); LIN, LI YANG (TW) |
| 代理人 | 黃耀霆 |
| 審查委員 | 李明達 |
| 摘要 | 一種黑色二氧化鈦薄膜的製備方法，用以解決習知白色二氧化鈦僅能夠受紫外光激發而發揮光催化活性的問題。該黑色二氧化鈦薄膜的製備方法包含使一二氧化鈦懸浮液於一基板上形成一薄膜前驅體；及使用一常壓微波電漿，對該薄膜前驅體進行一常壓微波電漿處理，以形成一黑色二氧化鈦薄膜；其中，該常壓微波電漿處理係使一電漿氣體轟擊該薄膜前驅體，該電漿氣體係來自一電漿源，該電漿源與該薄膜前驅體之間具有一轟擊距離。 |
| 引用非專利 | 網路文獻 Muhammad Ayyaz et al. Microwave Plasma Assisted Sol-Gel Synthesis of TiO2 Photocatalyst for DC Plasma Jet Driven Degradation of Methylene Blue ChemistrySelect 2021.4.7; 網路文獻 吳宇璇，蔡政賢，高立衡 以溶膠凝膠-電漿改質法製備高透明超親水可見光催化薄膜之研究 國立高雄應用科技大學 2021.1.16; 網路文獻 蕭富謙，陳弘穎，蔡政賢 以常壓微波電漿火炬氮化鈦金屬薄膜之研究 國立高雄應用科技大學 2010.3.25 |
專利範圍 
| 專利範圍 | 1.一種黑色二氧化鈦薄膜的製備方法，包含：使一二氧化鈦懸浮液於一基板上形成一薄膜前驅體；及於800W的功率下，使用一常壓微波電漿，對該薄膜前驅體進行一常壓微波電漿處理5分鐘，以形成一黑色二氧化鈦薄膜；其中，該常壓微波電漿處理係使一電漿氣體轟擊該薄膜前驅體，該電漿氣體係來自一電漿源，該電漿源與該薄膜前驅體之間具有一轟擊距離，該轟擊距離為3cm。 2.一種黑色二氧化鈦薄膜的製備方法，包含：使一二氧化鈦溶液於一基板上形成一薄膜前驅體；及於1100W的功率下，使用一常壓微波電漿，對該薄膜前驅體進行一常壓微波電漿處理5分鐘，以形成一黑色二氧化鈦薄膜；其中，該常壓微波電漿處理係使一電漿氣體轟擊該薄膜前驅體，該電漿氣體係來自一電漿源，該電漿源與該薄膜前驅體之間具有一轟擊距離，該轟擊距離為5cm。 3.如請求項1或2之黑色二氧化鈦薄膜的製備方法，其中，該常壓微波電漿處理係使一電漿氣體轟擊該薄膜前驅體，該電漿氣體包含一中心氣體及一旋進氣體，該中心氣體為一氮氫混合氣，且該旋進氣體為氮氣，該中心氣體的流量為1SLM，該旋進氣流的流量為9SLM。 4.如請求項3之黑色二氧化鈦薄膜的製備方法，其中，該氮氫混合氣包含體積百分比計為90%的氮氣及10%的氫氣。 |
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