專利名稱

氮化鉻薄膜的製造方法

申請號

108144125

申請日

2020/8/1

專利證號

I700384

專利權人

國立高雄科技大學

發明人

陳弘穎、楊偉勛、謝青諺

主IPC分類碼

C23C 16/34(2006.01); C23C 16/44(2006.01); C23C 16/50(2006.01); C23C 16/511(2006.01); H01J 37/317(2006.01)

專利摘要

一種氮化鉻薄膜的製造方法，用以解決習知氮化鉻薄膜的製造方法需要使用真空設備的問題。該氮化鉻薄膜的製造方法包含：使一鉻鹽溶液於一基板上形成一薄膜前驅體；及於1000~1350℃之溫度、800~1100W的功率下，使用一常壓微波電漿，對該薄膜前驅體進行一常壓微波電漿退火處理3~5分鐘，以形成一氮化鉻薄膜。