【I783795】兩自由度調諧質量阻尼平台系統及其操作方法

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【I783795】兩自由度調諧質量阻尼平台系統及其操作方法

公告號	I783795
公告日	2022/11/11
公報卷期	49-32
證書號	I783795
申請號	110143852 E
申請日	2021/11/24
公報IPC	B23Q 1/26(2006.01); B23Q 1/44(2006.01); B25H 1/00(2006.01)
當前IPC	B23Q 1/26(2006.01); B23Q 1/44(2006.01); B25H 1/00(2006.01)
申請人	國立高雄科技大學高雄市三民區建工路415號 (中華民國); NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 415 CHIEN-KUNG RD., KAOHSIUNG, TAIWAN (TW)
當前專利權人	國立高雄科技大學; NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
發明人	張詠盛 (中華民國); CHANG, YUNG SHENG (TW); 黃世疇 (中華民國); HUANG, SHYH CHOUR (TW)
代理人	顏豪呈; 王志中
審查委員	熊正一
摘要	一種兩自由度調諧質量阻尼平台之操作方法包含：於一主平台上配置連接至少一第一主撓曲組及至少一第二主撓曲組；於該第一主撓曲組配置組合至少一第一副撓曲組，如此該第一主撓曲組及第一副撓曲組連接於該主平台；於該第二主撓曲組配置組合至少一第二副撓曲組，如此該第二主撓曲組及第二副撓曲組連接於該主平台；於一第一自由度利用該第一主撓曲組及第一副撓曲組共同配置減輕該主平台之一第一響應振幅；及於一第二自由度利用該第二主撓曲組及第二副撓曲組共同配置減輕該主平台之一第二響應振幅。

專利範圍

1.一種兩自由度調諧質量阻尼平台系統，其包含：一主平台上，其包含至少一第一側邊及至少一第二側邊；至少一第一主撓曲組，其連接於該主平台之第一側邊；至少一第一副撓曲組，其配置組合於該第一主撓曲組，且該第一主撓曲組及第一副撓曲組連接於該主平台；至少一第二主撓曲組，其連接於該主平台之第二側邊；及至少一第二副撓曲組，其配置組合於該第二主撓曲組，且該第二主撓曲組及第二副撓曲組連接於該主平台；其中於一第一自由度利用該第一主撓曲組及第一副撓曲組共同配置減輕該主平台之一第一響應振幅，且於一第二自由度利用該第二主撓曲組及第二副撓曲組共同配置減輕該主平台之一第二響應振幅。

2.依請求項1所述之兩自由度調諧質量阻尼平台系統，其中該第一主撓曲組及第一副撓曲組配置結合一第一阻尼元件，或該第二主撓曲組及第二副撓曲組配置結合一第二阻尼元件。

3.依請求項1所述之兩自由度調諧質量阻尼平台系統，其中該第一主撓曲組及第一副撓曲組為選自一第一葉片式撓曲組，或該第二主撓曲組及第二副撓曲組為選自一第二葉片式撓曲組。

4.依請求項1所述之兩自由度調諧質量阻尼平台系統，其中該第一主撓曲組垂直排列配置組合於該第一副撓曲組，該第二主撓曲組垂直排列配置組合於該第二副撓曲組。

5.依請求項1所述之兩自由度調諧質量阻尼平台系統，其中該第一主撓曲組為選自一第一並聯雙葉片式撓曲組或一第一並聯多葉片式撓曲組，或該第二主撓曲組為選自一第二並聯雙葉片式撓曲組或一第二並聯多葉片式撓曲組。

6.一種兩自由度調諧質量阻尼平台之操作方法，其包含：於一主平台上配置連接至少一第一主撓曲組及至少一第二主撓曲組；於該第一主撓曲組配置組合至少一第一副撓曲組，且該第一主撓曲組及第一副撓曲組連接於該主平台；於該第二主撓曲組配置組合至少一第二副撓曲組，且該第二主撓曲組及第二副撓曲組連接於該主平台；於一第一自由度利用該第一主撓曲組及第一副撓曲組共同配置減輕該主平台之一第一響應振幅；及於一第二自由度利用該第二主撓曲組及第二副撓曲組共同配置減輕該主平台之一第二響應振幅。

7.依請求項6所述之兩自由度調諧質量阻尼平台之操作方法，其中該第一主撓曲組及第一副撓曲組配置結合一第一阻尼元件，或該第二主撓曲組及第二副撓曲組配置結合一第二阻尼元件。

8.依請求項6所述之兩自由度調諧質量阻尼平台之操作方法，其中該第一主撓曲組及第一副撓曲組為選自一第一葉片式撓曲組，或該第二主撓曲組及第二副撓曲組為選自一第二葉片式撓曲組。

9.依請求項6所述之兩自由度調諧質量阻尼平台之操作方法，其中該第一主撓曲組垂直排列配置組合於該第一副撓曲組，該第二主撓曲組垂直排列配置組合於該第二副撓曲組。

10.依請求項6所述之兩自由度調諧質量阻尼平台之操作方法，其中該第一主撓曲組為選自一第一並聯雙葉片式撓曲組或一第一並聯多葉片式撓曲組，或該第二主撓曲組為選自一第二並聯雙葉片式撓曲組或一第二並聯多葉片式撓曲組。

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