【I758222】磁石及其製造方法

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【I758222】磁石及其製造方法

公告號	I758222
公告日	2022/03/11
公報卷期	49-08
證書號	I758222
申請號	110131154 E
申請日	2021/08/23
公報IPC	H01F 1/22(2006.01); H01F 1/147(2006.01); H01F 41/02(2006.01)
當前IPC	H01F 1/22(2006.01); H01F 1/147(2006.01); H01F 41/02(2006.01)
申請人	國立高雄科技大學高雄市燕巢區大學路1號 (中華民國); NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY NO. 1, DAXUE RD., YANCHAO DIST., KAOHSIUNG CITY 82445, TAIWAN (R.O.C.) (TW)
當前專利權人	國立高雄科技大學; NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
發明人	黃靖謙 (中華民國); HUANG, CHING-CHIEN (TW); 莫智傑 (中華民國); MO, CHIH-CHIEH (TW); 王嘉男 (中華民國); WANG, CHIA-NAN (TW)
代理人	劉哲郎
審查委員	陳文傑
摘要	本發明提供一種磁石及其製造方法，該磁石的製造方法包含：提供一合金甩片；對該合金甩片進行一氫破碎步驟，以製得一第一合金粉末，其中該氫破碎步驟包含吸氫步驟，並不實施加熱脫氫步驟；加入一潤滑劑至該第一合金粉末中以形成一混合物，其中以該合金甩片的總重為100wt%計，該潤滑劑係大於0.1wt%且小於或等於1wt%之間；對該混合物進行一細粉碎步驟，以形成一第二合金粉末，其中該第二合金粉末的平均粒徑為大於零且小於或等於2微米；以及對該混合物進行一後處理製程，以形成該磁石。

專利範圍

1.一種磁石的製造方法，包含：提供一合金甩片，以該合金甩片的總重為100wt%計，該合金甩片的成分係(Nd,Pr)a(Dy,Tb)bCoc(Cu,Al,Ga)d(Nb,Zr,Ti)eBfFebal，其中28.0wt%a33.0wt%、0wt%<b10wt%、0.1wt%c2.5wt%、0.1wt%d1.5wt%、0wt%<e0.5wt%以及0.9wt%f1.1wt%；對該合金甩片進行一氫破碎步驟，以製得一第一合金粉末，其中該氫破碎步驟包含吸氫步驟，並不實施加熱脫氫步驟，其中該氫破碎步驟包含在一氫氣環境下進行達1至7小時，其中吸氫壓力係介於1.5至2.5kgf/cm2；加入一潤滑劑至該第一合金粉末中以形成一混合物，其中以該合金甩片的總重為100wt%計，該潤滑劑係大於0.1wt%且小於或等於1wt%之間；對該混合物進行一細粉碎步驟，以形成一第二合金粉末，其中該第二合金粉末的平均粒徑為大於零且小於或等於2微米；以及對該混合物進行一後處理製程，以形成該磁石。

2.如請求項1所述的磁石的製造方法，其中該合金甩片的成分係(Nd,Pr)30.2Dy1.8Co1.2Cu0.15Al0.25B0.98Ti0.1Febal。

3.如請求項1所述的磁石的製造方法，其中該細粉碎步驟係在一氮氣環境下對該混合物進行，其中該細粉碎步驟的粉碎壓力介於0.3至0.7MPa之間，該細粉碎步驟的分級輪轉速大於或等於15000rpm。

4.如請求項1所述的磁石的製造方法，其中該後處理製程依序包含一磁場配向成型步驟、一燒結步驟及一熱處理步驟。

5.如請求項4所述的磁石的製造方法，其中該燒結步驟的真空度介於10-5至10-4torr之間，該燒結步驟的燒結溫度介於900至980℃之間，以及該燒結步驟的燒結時間介於2至7小時之間。

6.如請求項4所述的磁石的製造方法，其中該熱處理步驟的真空度介於10-5至10-4torr之間，該熱處理步驟的熱處理溫度介於470至510℃之間，以及該熱處理步驟的熱處理時間介於1至5小時之間。

7.一種磁石，其利用如請求項1所述的磁石的製造方法製成，其中該磁石的BHmax與iHc之和大於65。

8.如請求項7所述的磁石，其中該磁石的碳含量小於1800ppm。

9.如請求項7所述的磁石，其中該磁石的氮含量小於500ppm。

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