【I755332】具高滲透通量之含二氧化矽奈米顆粒之正滲透薄膜及其製備方法

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【I755332】具高滲透通量之含二氧化矽奈米顆粒之正滲透薄膜及其製備方法

公告號	I755332
公告日	2022/02/11
公報卷期	49-05
證書號	I755332
申請號	110119702 E
申請日	2021/05/31
公報IPC	B32B 27/20(2006.01); B01D 61/00(2006.01); B01D 67/00(2006.01); B01D 69/06(2006.01); B01D 69/10(2006.01); B01D 69/12(2006.01); B01D 71/02(2006.01); B01D 71/56(2006.01); B01D 71/68(2006.01); B32B 27/28(2006.01); B32B 27/34(2006.01); B82Y 30/00(2011.01); B82Y 40/00(2011.01); C02F 1/44(2006.01)
當前IPC	B32B 27/20(2006.01); B01D 61/00(2006.01); B01D 67/00(2006.01); B01D 69/06(2006.01); B01D 69/10(2006.01); B01D 69/12(2006.01); B01D 71/02(2006.01); B01D 71/56(2006.01); B01D 71/68(2006.01); B32B 27/28(2006.01); B32B 27/34(2006.01); B82Y 30/00(2011.01); B82Y 40/00(2011.01); C02F 1/44(2006.01)
申請人	國立高雄科技大學高雄市三民區建工路415號 (中華民國); NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY NO.415, JIANGONG RD., SANMIN DIST., KAOHSIUNG CITY (TW)
當前專利權人	國立高雄科技大學; NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
發明人	林怡利 (中華民國); LIN, YI LI (TW); 阮竹瓊 (越南); NGUYEN, TRUC QUYNH (VN); 童國倫 (中華民國); TUNG, KUO LUN (TW); 董正釱 (中華民國); DONG, CHENG DI (TW); 陳秋妏 (中華民國); CHEN, CHIU WEN (TW); 吳忠信 (中華民國); WU, CHUNG HSIN (TW)
代理人	陳豐裕
審查委員	傅俊中
摘要	本發明關於一種具高滲透通量之含二氧化矽奈米顆粒之正滲透薄膜及其製備方法，含二氧化矽奈米顆粒之正滲透薄膜包含一聚碸基材層與一聚醯胺表面層，在以界面聚合法製備聚醯胺層於聚碸基材層的過程中，添加不同性質的二氧化矽奈米顆粒，以製備出具有優秀的水滲透通量與溶質選擇性的正滲透薄膜，且本發明之含二氧化矽奈米顆粒之正滲透薄膜，能有效應用於廢水處理。

專利範圍

1.一種含二氧化矽奈米顆粒之正滲透薄膜，係包含一基材層與一聚醯胺層，其中該聚醯胺層包含二氧化矽奈米顆粒，該二氧化矽奈米顆粒為3-氨基丙基三乙氧基矽烷((3-Aminopropyl)triethoxysilane)修飾二氧化矽奈米顆粒。

2.如請求項1所述之含二氧化矽奈米顆粒之正滲透薄膜，其中該聚醯胺層包含0.5-1.5 wt%之二氧化矽奈米顆粒。

3.如請求項1所述之含二氧化矽奈米顆粒之正滲透薄膜，其中該基材層以聚碸(polysulfone)材料製成。

4.如請求項1所述之含二氧化矽奈米顆粒之正滲透薄膜，其中該正滲透薄膜厚度介於60-90μm。

5.一種含二氧化矽奈米顆粒之正滲透薄膜的製備方法，係包含：步驟一：製備一基材層；以及步驟二：於該基材層上以界面聚合法製備一聚醯胺層，且其中該聚醯胺層具有二氧化矽奈米顆粒，該二氧化矽奈米顆粒為為3-氨基丙基三乙氧基矽烷((3-Aminopropyl)triethoxysilane)修飾二氧化矽奈米顆粒。

6.如請求項5所述之製備方法，其中該聚醯胺層包含0.5-1.5 wt%之二氧化矽奈米顆粒。

7.如請求項5所述之製備方法，其中該基材層以聚碸(polysulfone)材料製成。

8.如請求項5所述之製備方法，其中該正滲透薄膜厚度介於60-90μm。

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