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【I755348】磁石及其製造方法

公告號 I755348
公告日 2022/02/11
公報卷期 49-05
證書號 I755348
申請號 110131153 E
申請日 2021/08/23
公報IPC H01F 41/02(2006.01); H01F 1/057(2006.01)
當前IPC H01F 41/02(2006.01); H01F 1/057(2006.01)
申請人 國立高雄科技大學 高雄市燕巢區大學路1號 (中華民國);
NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY NO. 1, DAXUE RD., YANCHAO DIST., KAOHSIUNG CITY 82445, TAIWAN (R.O.C.) (TW)
當前專利權人 國立高雄科技大學; NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
發明人 黃靖謙 (中華民國); HUANG, CHING-CHIEN (TW);
莫智傑 (中華民國); MO, CHIH-CHIEH (TW);
王嘉男 (中華民國); WANG, CHIA-NAN (TW)
代理人 劉哲郎
審查委員 陳文傑
摘要 本發明提供一種磁石及其製造方法,該方法包含:提供一合金甩片;對該合金甩片進行一氫破碎步驟,以製得一第一合金粉末,其中該氫破碎步驟包含吸氫步驟,並不實施加熱脫氫步驟;加入一潤滑劑至該第一合金粉末中以形成一混合物;對該混合物進行一細粉碎步驟,以形成一第二合金粉末;以及對該混合物進行一後處理製程,以形成該磁石,其中該後處理製程包含磁場配向成型步驟、除氫步驟、燒結步驟以及熱處理步驟,其中該除氫步驟包含在0.05至0.95atm下的氬氣分壓氣氛下從室溫加熱至約550至600℃之間,其中升溫時間大於300分。

 

專利範圍 1.一種磁石的製造方法,包含:提供一合金甩片,以該合金甩片的總重為100wt%計,該合金甩片的成分係(Nd,Pr)a(Dy,Tb)bCoc(Cu,Al,Ga)d(Nb,Zr,Ti)eBfFebal,其中28.0wt%a33.0wt%、0wt%<b10wt%、0.1wt%c2.5wt%、0.1wt%d1.5wt%、0wt%<e0.5wt%以及0.9wt%f1.1wt%;對該合金甩片進行一氫破碎步驟,以製得一第一合金粉末,其中該氫破碎步驟包含吸氫步驟,並不實施加熱脫氫步驟,其中該氫破碎步驟包含在一氫氣環境下進行達1至7小時,其中吸氫壓力係介於1.5至2.5kgf/cm2;加入一潤滑劑至該第一合金粉末中以形成一混合物;對該混合物進行一細粉碎步驟,以形成一第二合金粉末;以及對該混合物進行一後處理製程,以形成該磁石,其中該後處理製程包含:對該第二合金粉末進行磁場配向成型步驟以形成一生胚;對該生胚進行除氫步驟,其中該除氫步驟包含在0.05至0.95atm下的氬氣分壓氣氛下從室溫升至約550至600℃之間,其中升溫時間大於300分;以及對進行該除氫步驟後的該生胚進行燒結步驟以及熱處理步驟,以形成該磁石。

2.如請求項1所述的磁石的製造方法,其中該燒結步驟的真空度介於10-5至10-4torr之間,該燒結步驟的燒結溫度介於900至1080℃之間,以及該燒結步驟的燒結時間介於2至7小時之間。

3.如請求項1所述的磁石的製造方法,其中該熱處理步驟的真空度介於10-5至10-4torr之間,該熱處理步驟的熱處理溫度介於470至510℃之間,以及該熱處理步驟的熱處理時間介於1至5小時之間。

4.一種磁石,其利用如請求項1所述的磁石的製造方法製成,其中該磁石的BHmax與iHc之和大於65。

5.如請求項4所述的磁石,其中該磁石的碳含量小於1900ppm,以及該磁石的氮含量小於500ppm。

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