【I740658】多頻率超音波換能器輸入裝置及其製法

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【I740658】多頻率超音波換能器輸入裝置及其製法

公告號	I740658
公告日	20210921
公報卷期	48-27
證書號	I740658
申請號	109132728
申請日	20200922
公報IPC	G06F 3/041(2006.01); G06F 3/01(2006.01)
當前IPC	G06F 3/041(2006.01); G06F 3/01(2006.01)
申請人	國立高雄科技大學高雄市三民區建工路415號 (中華民國) (TW)
當前專利權人	國立高雄科技大學
發明人	龐大成 (中華民國) (TW)
代理人	閻啓泰; 林景郁
審查委員	楊翠瑩
摘要	一種多頻率超音波換能器輸入裝置及其製法，該多頻率超音波換能器輸入裝置包含複數輸入元件，各輸入元件包含矩陣式排列的複數超音波換能器；於相鄰的輸入元件中，其中之一輸入元件之超音波換能器的可振盪膜的尺寸與另一輸入元件之超音波換能器的可振盪膜的尺寸相同，其中之一輸入元件之超音波換能器的可振盪膜的厚度與另一輸入元件之超音波換能器的可振盪膜的厚度不同，其中之一輸入元件之超音波換能器的上電極與下電極的間距與另一輸入元件之超音波換能器的上電極與下電極的間距不同；藉此，使不同輸入元件具有不同共振頻率。

引用專利	CN105264338A; CN106694347A; CN107981887A; TW201903575A; US6160340

專利範圍

1.一種多頻率超音波換能器輸入裝置，包含：一基板；以及複數輸入元件，設置於該基板的表面，各該輸入元件包含複數超音波換能器，各該超音波換能器包含設置在該基板表面的一下電極、設置在該下電極上方的一可振盪膜與設置在該可振盪膜表面的一上電極；於該複數輸入元件之相鄰的輸入元件中，其中之一輸入元件之超音波換能器的可振盪膜的尺寸與另一輸入元件之超音波換能器的可振盪膜的尺寸相同，其中之一輸入元件之超音波換能器的可振盪膜的厚度與另一輸入元件之超音波換能器的可振盪膜的厚度不同，其中之一輸入元件之超音波換能器的上電極與下電極的間距與另一輸入元件之超音波換能器的上電極與下電極的間距不同；其中，該複數輸入元件的可振盪膜為壓印成型的一體式薄膜結構，該可振盪膜的厚度是指該可振盪膜的一頂面與一底面之間的距離。

2.如請求項1所述之多頻率超音波換能器輸入裝置，其中，該複數輸入元件的超音波換能器的可振盪膜為圓形薄膜而具有一直徑，該複數輸入元件之超音波換能器的可振盪膜的直徑彼此相同。

3.如請求項1所述之多頻率超音波換能器輸入裝置，其中，該基板的表面為平面，使該複數輸入元件之超音波換能器的下電極位在同一平面；該複數輸入元件之超音波換能器的可振盪膜具有一頂面，該上電極設置在該可振盪膜的頂面。

4.如請求項1所述之多頻率超音波換能器輸入裝置，其中，該基板的表面為平面，使該複數輸入元件之超音波換能器的下電極位在同一平面；該複數輸入元件之超音波換能器的可振盪膜具有一底面，該上電極設置在該可振盪膜的底面。

5.如請求項1所述之多頻率超音波換能器輸入裝置，其中，該基板為選自玻璃、矽膠、樹脂、塑膠、聚酯類、聚醯亞氨、光阻劑、高分子材料所構成之群組中至少一種材料所製成的構件。

6.如請求項1所述之多頻率超音波換能器輸入裝置，其中，各該下電極為選自導電氧化物薄膜、氧化銦錫薄膜、氧化鋅薄膜、奈米碳管、銀絲墨等所構成之群組中之一種材料所製成的構件。

7.如請求項1所述之多頻率超音波換能器輸入裝置，其中，該可振盪薄膜為選自玻璃、矽膠、樹脂、塑膠、聚酯類、聚醯亞氨、光阻劑、高分子材料所構成之群組中至少一種材料所製成的構件。

8.如請求項1所述之多頻率超音波換能器輸入裝置，其中，各該上電極為選自金屬薄膜、導電氧化物薄膜、氧化銦錫薄膜、氧化鋅薄膜、奈米碳管、銀絲墨等所構成之群組中之一種材料所製成的構件。

9.一種多頻率超音波換能器輸入裝置的製法，包含：準備一膜基材與一基板；透過一階梯狀壓模在該膜基材的表面進行壓印，以於該膜基材的表面形成一階梯狀表面；在該膜基材的該階梯狀表面設置複數上電極以及邊牆；在該基板的表面設置複數下電極以及塗佈一黏結劑層；以及將該膜基材之該階梯狀表面上的邊牆設置在該基板表面的該黏結劑層，並使該複數下電極的位置分別對應該複數上電極的位置。

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