【專利讓售】低損耗高、低頻波導結構及其製作方法

【專利讓售】低損耗高、低頻波導結構及其製作方法 (公告日期：2021/10/28)

本校擬將所擁有之優質專利，以有價讓售之方式提供國內外廠商、自然人，促進整體產業發展及提升研發成果運用效益。

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專利名稱	低損耗高、低頻波導結構及其製作方法
申請號	107121344	申請日	2018/06/21
專利證號	I683471	專利權人	國立高雄科技大學
發明人	邱建良
主IPC分類碼	H01P 11/00(2006.01); H01P 3/00(2006.01)
專利摘要	本發明係有關於一種低損耗高、低頻波導結構及其製作方法，其主要係於一基板上經光阻、曝光、顯影等製程，而能於所述基板上製成有銅材的訊號線與接地線，並於所述訊號線與所述接地線外部採化學氣相沉積(CVD)包覆石墨烯層，所述石墨烯層作為高頻的傳輸導線；藉此結構，於傳播低頻時訊號會通過銅訊號線傳輸，而傳播高頻時因集膚效應訊號會藉由石墨烯層傳輸，達到提供高、低頻傳輸之需求。

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