專利名稱

高速率雷測二極體封裝座

申請號

099106282

申請日

2010/03/04

專利證號

I404159

專利權人

國立高雄科技大學

發明人

施天從、曾培豪、陳浩維

主IPC分類碼

專利摘要

一種供雷射二極體封裝的高速率雷射二極體封裝座，包含基台、一組第一電極單元、二組第二電極單元，及多數接地電極接腳，基台具有本體、一第一穿孔、二第二穿孔，及沿第二穿孔連線方向的長度大於第二穿孔間距的接地塊，第一、二電極單元分別包括填置於第一、二穿孔的第一、二介電塊與穿設過第一、二介電塊的第一、二電極接腳，第二介電塊具有介電常數不同的第一、二介電部，藉此與雷射二極體相配合得到最佳匹配阻抗，降低訊號衰減，且本發明特別適用直流到25Gbit/s以上的傳輸速率的雷射二極體。