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【I731758】複合電極製備方法

公告號
I731758 
專利名稱 複合電極製備方法
公告日 2021/06/21
證書號 I731758
申請日 2020/07/24
申請號 109125023 
國際分類號
/IPC
H01G-011/86(2013.01);H01G-011/30(2013.01)
公報卷期 48-18
發明人 楊文都 ;
周邑融
申請人 國立高雄科技大學 高雄市三民區建工路415號 TW
代理人 閻啓泰;
林景郁
審查人員 陳文傑
摘要 本發明提供一種複合電極製備方法,其包含以下步驟:步驟(a):提供一導電基材並將該導電基材浸入一第一溶液後取出,隨後以去離子水清洗,其中,該第一溶液中含有石墨烯與奈米碳管;步驟(b):隨後浸入一第二溶液後取出,再以去離子水清洗,其中,該第二溶液中含有二價錳離子;步驟(c):隨後浸入一第三溶液後取出,再以去離子水清洗,以獲得一經處理後的導電基材,其中,該第三溶液中含有過錳酸根離子;以及步驟(d):加熱該經處理後的導電基材,以獲得該複合電極。本發明之複合電極製備方法具有製程簡易、製作成本低以及能源消耗低等優點。
專利範圍 1.一種複合電極製備方法,其包含以下步驟:
步驟(a):將一導電基材浸入一第一溶液中,再進行水洗,得到一第一中間物,其中,該第一溶液中含有石墨烯與奈米碳管,該第一中間物係表面形成有一石墨烯-奈米碳管層的導電基材;
步驟(b):將該第一中間物浸入一第二溶液中,再進行水洗,得到一第二中間物,其中,該第二溶液中含有二價錳離子,該第二中間物係於該石墨烯-奈米碳管層吸附有二價錳離子的第一中間物;
步驟(c1):將該第二中間物浸入一第三溶液中,再進行水洗,得到一第三中間物,其中,該第三溶液中含有過錳酸根離子,該第三中間物係於該石墨烯-奈米碳管層上形成有一二氧化錳層的第一中間物;
步驟(c2):將該第三中間物作為該步驟(a)中的導電基材,依序重複進行該步驟(a)至該步驟(c1)至少一次;以及
步驟(d):將該第三中間物加熱至190℃至210℃並持溫1小時至1.5小時,以獲得該複合電極;
其中,該複合電極製備方法係選擇性進行該步驟(c2);該複合電極包含該導電基材、該石墨烯-奈米碳管層以及該二氧化錳層,該石墨烯-奈米碳管層形成於該導電基材表面,該二氧化錳層係形成於該石墨烯-奈米碳管層上。
2.如請求項1所述之複合電極製備方法,在該步驟(c2)中,依序重複進行該步驟(a)至該步驟(c1)的循環之次數係四次至十九次。
3.如請求項1或2所述之複合電極製備方法,其中,該第一溶液中所含石墨烯與奈米碳管的質量比為0.3:1至1:1。
4.如請求項1或2所述之複合電極製備方法,其中,該第二溶液係濃度為0.01 M至0.1 M的硫酸錳溶液。
5.如請求項1或2所述之複合電極製備方法,其中,浸入該第一溶液、浸入該第二溶液以及浸入該第三溶液的浸漬時間各自獨立分別為10秒至40秒。
6.如請求項1或2所述之複合電極製備方法,其中,浸入該第一溶液、浸入該第二溶液以及浸入該第三溶液的浸漬時間等長。
7.如請求項1或2所述之複合電極製備方法,其中,該二氧化錳層係由δ型二氧化錳所構成。
8.如請求項1或2所述之複合電極製備方法,其中,該複合電極在電流密度為1 A/g的條件下所具有的比電容值為450 F/g至470 F/g。
9.如請求項1或2所述之複合電極製備方法,其中,該複合電極在經過2000次的充、放電測試後,其比電容值保持率高於85%。
案件狀態
專利申
請案號
狀態異
動日期
案件申
請日期
實體審查
申請日
相關申
請案號
公開號 公告號 證書號 專利
類別
狀態異
動資料
申請案狀態
異動資料
109125023  2021/06/21  2020/07/24  2020/07/24      I731758  I731758  發明  初審核准   
109125023  2021/02/19  2020/07/24  2020/07/24          發明  初審核准   
109125023  2020/07/24  2020/07/24  2020/07/24          發明  初審審查中   
註:若專利申請案號末端附加N01編號,代表此申請案被提起一次舉發,以此類推N02為兩次舉發,狀態異動資料則顯示該舉發案審查情形。
權利異動
專利申
請案號
授權
註記
質權
註記
讓與
註記
繼承
註記
信託
註記
異議
註記
舉發
註記
消滅
日期
撤銷
日期
專利權
始日
專利權
止日
年費有
效日期
年費
有效年次
109125023  無  無  無  無  無  無  無      2021/06/21  2040/07/23  2024/06/20  003 
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