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【I719830】基站裝置

公告號
I719830 
專利名稱 基站裝置
BASE STATION DEVICE
公告日 2021/02/21
公告及公開日 公告-2021/02/21
證書號 I719830
申請日 2020/02/11
申請號 109104277 
國際分類號
/IPC
H01Q-001/24(2006.01);H04W-088/08(2009.01)
公報卷期 48-06
發明人 陸瑞漢 LU, JUI-HAN;
莊惟任 CHUANG, WEI-REN;
陳柏銘 CHEN, BO-MING
申請人 國立高雄科技大學 NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 高雄市三民區建工路415號 TW
代理人 李文賢
參考文獻 CN101515668A 
CN109891775A 
US2015/0244070A1 
審查人員 謝裕民
摘要 一種基站裝置,包含:第一本體,包含有複數個基板,基板相互連接而形成有第一貫通口之第一容置空間;第一天線,分別設置於每一基板之第一面上而位於第一容置空間,用以收發第一頻段;第二天線,分別設置於每一基板之第一面上而位於第一容置空間,用以收發第二頻段;及第二本體,連接於第一本體而位於第一容置空間,其中第二本體包含有複數個背板,背板相互連接而形成有第二貫通口之第二容置空間,並且每一背板與一個基板相互對應設置。
專利範圍 1.一種基站裝置,包含:一第一本體,包含有複數個基板,該些基板相互連接而形成有一第一貫通口之一第一容置空間;一第一天線,分別設置於每一該基板之一第一面上而位於該第一容置空間,用以收發一第一頻段;一第二天線,分別設置於每一該基板之該第一面上而位於該第一容置空間,用以收發一第二頻段;及一第二本體,連接於該第一本體而位於該第一容置空間,其中該第二本體包含有金屬製成之複數個背板,該些背板相互連接而形成有一第二貫通口之一第二容置空間,並且每一該背板與一個該基板相互對應設置,用以提供散熱與隔絕系統雜訊。
2.如請求項1所述之基站裝置,其中每一該基板包含一第一角落與一第二角落,該第一天線設置於該第一角落,該第二天線設置於該第二角落。
3.如請求項1所述之基站裝置,更包含一連接件,用以連接該第一本體與該第二本體,使該第二本體位於該第一容置空間內,而與該第一本體形成一間距。
4.如請求項3所述之基站裝置,其中該間距大小係在5.5mm至7.5mm之範圍間。
5.如請求項1所述之基站裝置,其中該第一天線包含:一第一段,往一第二方向延伸至一第一轉點;一第二段,自該第一轉點往一第一方向延伸形成;及一第三段,自該第二段之間而往該第二方向延伸形成。
6.如請求項5所述之基站裝置,其中該第一段之長度係在0.2mm至1mm之範圍間,該第二段之長度係在7mm至9mm之範圍間,該第三段之長度係在15.3mm至17.3mm之範圍間。
7.如請求項1所述之基站裝置,其中該第二天線包含:一第四段,往一第二方向延伸至一第二轉點;一第五段,自該第二轉點而往該第一方向之反方向延伸形成;一第六段,自該第五段之間而往該第二方向延伸至一第三轉點;及一第七段,自該第三轉點而往該第一方向之反方向延伸形成。
8.如請求項7所述之基站裝置,其中該第四段之長度係在2.5mm至4.5mm之範圍間,該第五段之長度係在7.4mm至9.4mm之範圍間,該第六段之長度係在6mm至8mm之範圍間,該第七段之長度係4.8在mm至6.8mm之範圍間。
9.如請求項1所述之基站裝置,更包含一第一蝕刻區與一第二蝕刻區,該第一蝕刻區對應該第一天線而位於該基板之一第二面,該第二蝕刻區對應該第二天線而位於該基板之該第二面。
10.如請求項9所述之基站裝置,其中該第一蝕刻區包含:一第一蝕刻槽,自該基板之一邊緣延伸形成;及一第二蝕刻槽,鄰近於該第一蝕刻槽而與該邊緣形成一間距。
11.如請求項9所述之基站裝置,其中該第二蝕刻區包含:一第三蝕刻槽,包含:一第一蝕刻段,自該基板之一邊緣延伸至一轉折點;及一第二蝕刻段,自該轉折點延伸形成,而與該第一蝕刻段呈一垂直;一第四蝕刻槽,自該基板之該邊緣延伸形成而位於該邊緣與該第二蝕刻段之間;及一第五蝕刻槽,自該基板之該邊緣延伸形成而位於該邊緣與該第二蝕刻段之間。
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