【I706577】長週期光纖光柵的製造方法

公告號

I706577

專利名稱

長週期光纖光柵的製造方法

公告日

2020/10/01

證書號

I706577

申請日

2019/09/20

申請號

108133946

國際分類號
/IPC

H01L-031/18(2006.01);G02B-006/08(2006.01)

公報卷期

47-28

發明人

江家慶 ;
溫新宜 ;
陳景綸 ;
翁健傑

申請人

國立高雄科技大學高雄市三民區建工路415號 TW

代理人

顏婌烊

參考文獻

TW419607
TWI484232B
CN106707406A

US6201911B1

審查人員

陳建銘

摘要

本發明揭櫫一種長週期光纖光柵的製造方法，此方法包含：設置一具長週期結構的遮罩件於一光纖上；照射一雷射經遮罩件至光纖，使光纖對應長週期結構之部位的表面燒熔，而非對應長週期結構之部位的表面未燒熔；以及濕蝕刻光纖。

專利範圍

1.一種長週期光纖光柵的製造方法，係包括：設置一具長週期結構的遮罩件於一光纖上；照射一雷射經該遮罩件至該光纖，該雷射產生熱效應於光纖表面，使該光纖對應該長週期結構之部位的表面燒熔，而該光纖非對應該長週期結構之部位的表面未燒熔，其中該雷射能量為10至15mJ、頻率為50至150Hz；以及濕蝕刻該光纖，使該光纖表面之燒熔部位與未燒熔部位產生形成蝕刻深度差異。
2.如請求項第1項所述之製造方法，其中該雷射為準分子雷射。
3.如請求項第1項所述之製造方法，其中該雷射為選自由Ar2*、Kr2*、F2*、Xe2*、ArF、KrF、XeBr、XeCl、XeF、及KrCl所組成的群組。
4.如請求項第1項所述之製造方法，其中該雷射走速為0.05至0.3mm/s。
5.如請求項第1項所述之製造方法，於該遮罩件設置步驟前，更包括：預先濕蝕刻該光纖。
6.如請求項第1項所述之製造方法，於該遮罩件設置步驟前，更包括：去除該光纖外的一外衣層。
7.如請求項第1項所述之製造方法，於該遮罩件設置步驟前，更包括：去除該光纖外的一外衣層；以及預先濕蝕刻該光纖。
8.如請求項第1項所述之製造方法，其中該光纖對應該長週期結構之部位於該濕蝕刻後的厚度為15至25μm，非對應該長週期結構之部位於該濕蝕刻後的厚度為40至45μm。
9.如請求項第1項所述之製造方法，其中該雷射能量為12mJ、頻率為50至100Hz、走速為0.2mm/s。

ga-I706577.pdf

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