【I705138】含有戴奧辛之污土的生物降解方法及生物降解系統暨其應用

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【I705138】含有戴奧辛之污土的生物降解方法及生物降解系統暨其應用

公告號

I705138

公開 202100744

專利名稱

含有戴奧辛之污土的生物降解方法及生物降解系統暨其應用
METHOD AND SYSTEM OF BIODEGRADING SOIL CONTAMINATED BY DIOXINS AND APPLICATION OF THE SAME

公告日

2020/09/21

證書號

I705138

申請日

2019/06/24

申請號

108122020

國際分類號
/IPC

C12N-001/20(2006.01);B09C-001/10(2006.01)

公報卷期

47-27

發明人

陳政任 CHEN, JENQ RENN;
吳子妍 KAEWLAOYOONG, ACHAREE;
馬立歐 HANSEN, MARIO JENS;
鄭至玉 CHENG, CHIH YU;
黃文彥 HUANG, WEN YEN;
林啟燦 LIN, CHI TSAN

申請人

國立高雄科技大學 NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 高雄市三民區建工路415號 TW

代理人

李世章;
秦建譜

參考文獻

CN105924260A

YAMAGUCHI Muneyoshi, et al. " Selection of Pleurotus pulmonarius from domestic basidiomycetous fungi for biodegradation of chlorinated dioxins as environmentally persistent organopollutants " Bulletin of FFPRI , Dec. 2007，Vol: 6, No: 4, Page(s):231-237. C. Pinedo-Rivilla, et al. " Pollutants Biodegradation by Fungi " Current Organic Chemistry,2009，Vol: 13, No: 12, Page(s): 1194-1214.

審查人員

顏逸瑜

摘要

本發明提供一種含有戴奧辛之污土的生物降解方法及生物降解系統暨其應用，可利用肺形側耳菌降解含有戴奧辛之污土。前述含有戴奧辛之污土的生物降解系統，可提供特定濕度的環境，以持續且穩定的降解戴奧辛，可避免處理戴奧辛後對環境的二次污染。

專利範圍

1.一種含有戴奧辛之污土的生物降解方法，包含：提供一固態培養材料，其中該固態培養材料之含水率為50%至70%，該固態培養材料之一酸鹼值為pH5至pH8，且該固態培養材料包含：一植物性回收材料，其中該植物性回收材料的一粒徑為4公分至6公分；以及一無機添加物；進行一固態培養步驟，其係將肺形側耳菌(Pleurotus pulmonarius)之一接種源接種於該固態培養材料，以獲得一固態培養物，其中該肺形側耳菌之寄存編號為BCRC 36906；以及進行一降解步驟，其係混合一污土與該固態培養物而形成一混合物，以降解該污土之戴奧辛，其中該固態培養步驟及該降解步驟之一溫度為20℃至30℃，且該戴奧辛包含七氯二苯并呋喃(heptachlorodibenzofurans，HpCDFs)、八氯二苯并呋喃(octachlorodibenzofuran，OCDF)、六氯二苯并-p-戴奧辛(hexachlorodibenzo-para-dioxins，HxCDDs)及七氯二苯并-p-戴奧辛(heptachlorodibenzo-para-dioxin，HpCDD)。
2.如申請專利範圍第1項所述之含有戴奧辛之污土的生物降解方法，其中該植物性回收材料包含一禾本科植物加工副產物、一木屑、一咖啡渣、一茶葉渣、一甘蔗渣、一玉米穗軸、一果皮及/或一香蕉莖。
3.如申請專利範圍第1項所述之含有戴奧辛之污土的生物降解方法，在提供該固態培養材料之前，更至少包含將該植物性回收材料浸泡於水中至少12小時。
4.如申請專利範圍第1項所述之含有戴奧辛之污土的生物降解方法，其中該無機添加物包含石灰〔CaO〕、石膏〔CaSO4〕、白雲石〔CaMg(CO3)2〕及/或浮石〔Al2Si2O5(OH)4〕。
5.如申請專利範圍第1項所述之含有戴奧辛之污土的生物降解方法，其中該固態培養材料更至少包含一有機添加物，且該有機添加物包含醣類。
6.如申請專利範圍第1項所述之含有戴奧辛之污土的生物降解方法，其中該污土與該固態培養物之一重量比至少為1：0.5。
7.一種含有戴奧辛之污土的生物降解系統，包含：一加濕裝置，該加濕裝置包括：一加濕槽，該加濕槽之一腔體包含一第一上部及一第一下部；一第一進氣裝置，該第一進氣裝置包含一第一管線及連接於該第一管線之一發泡元件，其中該第一管線係穿設該第一上部且該發泡元件沒入該腔體的一液面下；一第二進氣裝置，該第二進氣裝置包含一第二管線及包覆部分之該第二管線之一多孔性元件，其中該第二管線具有依序連通之一第一部分、一第二部分及一第三部分，該第一部分穿入該第一上部，該多孔性元件具有複數個微孔，該第二部分具有複數個氣孔，該多孔性元件包覆該第二部分，該些微孔與該第二部分之該些氣孔相連通，該第二部分係設於該腔體內且不接觸該液面，且該第三部分穿出該第一上部；一氣泵，該氣泵經由一連接元件連通該第一管線及該第二管線；以及一第一排氣管，該第一排氣管設於該加濕槽之該第一上部；以及一反應裝置，該反應裝置包括：一反應槽，該反應槽之一容置空間包含一第二上部及第二下部；一曝氣組，該曝氣組設於該容置空間內且置於該反應槽之該第二下部，該曝氣組包含一曝氣盤及至少一曝氣管，其中該至少一曝氣管係設於該曝氣盤內，該曝氣盤之一上表面設有複數個穿孔，該至少一曝氣管具有複數個氣孔，且該第二管線之該第三部分係穿入該第二下部連通至該至少一曝氣管；一濾網，該濾網設於該容置空間內且位於該曝氣盤上方，其中該濾網設有複數個孔洞，該些孔洞、該些穿孔及該至少一曝氣管的該些氣孔係彼此相連通，該生物降解系統之該容置空間內具有一混合物，該混合物包括含戴奧辛之一污土與含肺形側耳菌之一固態培養物，該固態培養材料之一酸鹼值為pH5至pH8，且該肺形側耳菌之寄存編號為BCRC 36906；以及一第二排氣管，該第二排氣管設於該反應槽之第二上部。
8.一種利用生物降解系統降解含有戴奧辛之污土之方法，包含：提供如申請專利範圍第7項所述之含有戴奧辛之污土的生物降解系統；以及透過該加濕裝置提供一含水氣體予該反應裝置，以進行一降解步驟，其中該含水氣體之一含水量為80%至90%，且該降解步驟係在24℃至28℃之溫度進行。
9.如申請專利範圍第8項所述之利用生物降解系統降解含有戴奧辛之污土之方法，其中該混合物之一含水率為60%至70%。
10.如申請專利範圍第8項所述之利用生物降解系統降解含有戴奧辛之污土之方法，其中該戴奧辛包含七氯二苯并呋喃(heptachlorodibenzofurans，HpCDFs)、八氯二苯并呋喃(octachlorodibenzofuran，OCDF)、六氯二苯并-p-戴奧辛(hexachlorodibenzo-para-dioxins，HxCDDs)及七氯二苯并-p-戴奧辛(heptachlorodibenzo-para-dioxin，HpCDD)。

ga-I705138.pdf

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