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【I923366】圍束型低壓固結灌漿工法

書目
公告號 I923366
公告日 2026/04/21
公報卷期 53-12
證書號 I923366
申請號 114111208 E
申請日 2025/03/25
公報IPC E02D 27/12(2006.01); E02D 3/12(2006.01)
當前IPC E02D 27/12(2006.01); E02D 3/12(2006.01)
申請人 國立高雄科技大學 高雄市三民區建工路415號 (中華民國) (TW)
 申請人
標準名稱
國立高雄科技大學;
NATIONAL KAOHSIUNG UNIV OF SCIENCE AND TECH
當前專利權人 國立高雄科技大學
 專利權人
標準名稱
國立高雄科技大學; NATIONAL KAOHSIUNG UNIV OF SCIENCE AND TECH
發明人 沈茂松 (中華民國) (TW)
代理人 閻啓泰; 林景郁
當前代理人 閻啓泰; 林景郁
審查委員 洪魁升
摘要 本發明提出一種圍束型低壓固結灌漿工法,其包含在至少一基樁之周圍以一高壓之單管灌漿方法成形複數圍束樁,該等圍束樁環繞該至少一基樁且該等圍束樁彼此相連,藉此一圍束區形成於在該至少一基樁與該等圍束樁之間;以及以一低壓之滲透灌漿方法在該圍束區內灌注一水泥漿,直至飽壓滿漿。藉由本發明的工法,能將摩擦樁從地面到有效摩擦深度所在的鬆軟土層加以圍束後固結,由鬆軟的塑性土壤變成較硬的脆性土壤,能發揮高強度的握裹剪力,且使摩擦樁受力不發生負表皮摩擦力,而增加摩擦樁的承載力,進一步免於樁身加粗、加長等變更設計或變更樁基位置。

參考文獻
引用專利 CN110670579A ETW201002913A

專利範圍   原始格式 
專利範圍 1.一種圍束型低壓固結灌漿工法,其包含: 在至少一基樁之周圍以一高壓之單管灌漿方法成形複數圍束樁,該等圍束樁環繞該至少一基樁且該等圍束樁彼此相連,藉此一圍束區形成於該至少一基樁與該等圍束樁之間; 以一低壓之滲透灌漿方法在該圍束區內灌注一水泥漿,直至飽壓滿漿; 其中,該至少一基樁具有一直徑長度,各該圍束樁與其最接近的該至少一基樁之間的淨距離介於該直徑長度的1.5倍至1.75倍,兩相鄰的該圍束樁的灌注位置之間的間隔距離為該直徑長度的0.5倍,各該圍束樁的直徑大於或等於該直徑長度的0.5倍再加上5公分。

2.如請求項1所述之圍束型低壓固結灌漿工法,其中,在該至少一基樁之周圍以該高壓之單管灌漿方法成形該複數圍束樁之前進一步包含: 在該至少一基樁之周圍培土夯實。

3.如請求項1所述之圍束型低壓固結灌漿工法,其中: 該至少一基樁的數量為複數支,且任兩該基樁之間的淨距離介於該直徑長度的3倍至3.5倍。

4.如請求項3所述之圍束型低壓固結灌漿工法,其中: 各該圍束樁的灌漿深度至地表之間的距離介於該直徑長度的15倍至20倍。

5.如請求項1或2所述之圍束型低壓固結灌漿工法,其中,該高壓之單管灌漿方法的灌漿壓力大於或等於180kg/cm2;漿液凝固時間介於8秒至12秒。

6.如請求項5所述之圍束型低壓固結灌漿工法,其中,該高壓之單管灌漿方法中的鑽桿轉速大於或等於21rpm,鑽桿拔升速度小於或等於5cm/20sec。

7.如請求項6所述之圍束型低壓固結灌漿工法,其中: 該等圍束樁的28天單軸抗壓強度大於或等於15kg/cm2。

8.如請求項1或2所述之圍束型低壓固結灌漿工法,其中: 該低壓之滲透灌漿方法的起灌壓力為5kg/cm2。

9.如請求項8所述之圍束型低壓固結灌漿工法,其中: 該水泥漿中之水與水泥的比例為1:1。

10.如請求項9所述之圍束型低壓固結灌漿工法,其中: 該圍束區固結後的28天單軸抗壓強度大於或等於15kg/cm2。
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