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【M674258】共鍍膜裝置
| 公告號 | M674258 |
| 公告日 | 2025/09/01 |
| 公報卷期 | 52-25 |
| 證書號 | M674258 |
| 申請號 | 114204065 E |
| 申請日 | 2025/04/23 |
| 公報IPC | C23C 14/06(2006.01) |
| 當前IPC | C23C 14/06(2006.01) |
| 申請人 | 國立高雄科技大學 高雄市三民區建工路415號 (中華民國); NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY NO. 415,JIANGONG RD., SANMIN DIST., KAOHSIUNG CITY 80778, TAIWAN (R.O.C.) (TW) |
| 申請人 標準名稱 |
國立高雄科技大學; NATIONAL KAOHSIUNG UNIV OF SCIENCE AND TECH |
| 當前專利權人 | 國立高雄科技大學; NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY |
| 專利權人 標準名稱 |
國立高雄科技大學; NATIONAL KAOHSIUNG UNIV OF SCIENCE AND TECH |
| 發明人 | 蕭育仁 (中華民國); HSIAO, YU-JEN (TW) |
| 代理人 | 許智為; 李威聰 |
| 當前代理人 | 許智為; 李威聰 |
| 摘要 | 一種共鍍膜裝置，包含：腔體；基座，設置於該腔體內部之頂面，包含一承載平面，該承載平面係遠離該頂面；第一靶材座，設置於腔體內部遠離該基座之一側，其鄰近該基座之一側設有第一靶材，該第一靶材座透過磁控直流能量朝向該基座擊發該第一靶材；第二靶材座，設置於腔體內部與該第一靶材座同一側，其鄰近該基座之一側設有一第二靶材，該第二靶材座透過一交流能量朝向該基座擊發該第二靶材；該第一靶材與該第二靶材可依需求調控鍍膜速率，以此形成符合需求之薄膜。 |
專利範圍 
| 專利範圍 | 1.一種共鍍膜裝置，包含： 一腔體； 一基座，設置於該腔體內部之頂面，包含一承載平面，該承載平面係遠離該頂面； 一第一靶材座，設置於腔體內部遠離該基座之一側，其鄰近該基座之一側設有一第一靶材，該第一靶材座透過磁控一直流能量朝向該基座擊發該第一靶材，其中該第一靶材包含金、銀、銅、鋁、鎳、錫、鋅、鎢、氧化鋯、鎳釩合金或氮化矽； 一第二靶材座，設置於腔體內部與該第一靶材座同一側，其鄰近該基座之一側設有一第二靶材，該第二靶材座透過一交流能量朝向該基座擊發該第二靶材，其中該第二靶材包含氧化鎢、二氧化鈦、鎳釩合金、氮化鋁或氧化鋅。 2.如請求項1所述共鍍膜裝置，其中該承載平面可選擇性地以其鉛直方向為軸心進行旋轉。 3.如請求項1所述共鍍膜裝置，其中該直流能量包含一高能脈衝能量。 4.如請求項3所述共鍍膜裝置，其中該高能脈衝能量之功率範圍介於0至700 W。 5.如請求項1所述共鍍膜裝置，其中該交流能量包含一射頻能量。 6.如請求項5所述共鍍膜裝置，其中該射頻能量之功率範圍介於0 至 600 W，且其頻率為13.56 MHZ。 7.如請求項1所述共鍍膜裝置，其更包含一抽氣口，其中該抽氣口設於腔體外壁，將留置於腔體內部之氣體導出。 8.如請求項7所述共鍍膜裝置，其更包含一抽氣部，其中該抽氣部，其中該抽氣部設置於該腔體外部之一側，以一抽氣管與該抽氣口連接。 9.如請求項1所述共鍍膜裝置，其更包含一進氣口，該進氣口設於腔體外壁。 10.如請求項9所述共鍍膜裝置，其更包含一儲氣槽，其中該儲氣槽設置於該腔體外之一側，以一輸氣管連通該進氣口。 |
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