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【I891336】氣體感測器 GAS SENSOR
| 公告號 | I891336 |
| 公告日 | 2025/07/21 |
| 公報卷期 | 52-21 |
| 證書號 | I891336 |
| 申請號 | 113115551 E |
| 申請日 | 2024/04/25 |
| 公報IPC | G01N 27/12(2006.01) |
| 當前IPC | G01N 27/12(2006.01) |
| 申請人 | 國立高雄科技大學 高雄市三民區建工路415號 (中華民國); NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY NO.415, JIANGONG RD., SANMIN DIST., KAOHSIUNG CITY (TW) |
| 申請人 標準名稱 |
國立高雄科技大學; NATIONAL KAOHSIUNG UNIV OF SCIENCE AND TECH |
| 當前專利權人 | 國立高雄科技大學; NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY |
| 專利權人 標準名稱 |
國立高雄科技大學; NATIONAL KAOHSIUNG UNIV OF SCIENCE AND TECH |
| 發明人 | 薛丁仁 (中華民國); HSUEH, TING JEN (TW); 吳佳霖 (中華民國); WU, CHIA LIN (TW); 鄭皓元 (中華民國); CHENG, HAO YUAN (TW); 凃品嘉 (中華民國); TU, PIN CHIA (TW); 王奕敏 (中華民國); WANG, YI MIN (TW) |
| 代理人 | 陳豐裕 |
| 當前代理人 | 陳豐裕 |
| 審查委員 | 林佑霖 |
| 摘要 | 本發明係有關於一種氣體感測器，其主要係於支架上端設有該第一絕緣層，利用支架將第一絕緣層予以架高，使得於支架與第一絕緣層之間形成有散熱空間，於第一絕緣層上端設置有介電層，於介電層上端外側設有第二絕緣層，於第二絕緣層內設有加熱元件，另於第二絕緣層之間設有感測層，於感測層內則設有電極，再於感測層上端設有第三絕緣層；藉此，使得在使用上不僅能透過散熱空間達到對加熱元件加熱過程產生散熱功效，且對感測層具有保護功效，可避免感測層損壞、失效情況發生，並同時可增加氧分子的吸附，進而增加氣體響應，而在其整體施行使用上更增實用功效特性者。 |
| 引用專利 | CN110036288A E; CN207133219U E; TW201816395A; TW202136768A; US2023/0068539A1 E |
| 引用非專利 | 期刊 Hsueh, T.J.; Ding, R.Y. A Room Temperature ZnO-NPs/MEMS Ammonia Gas Sensor Nanomaterials 2022, 12, 3287 MDPI 21 September 2022 1~9 |
專利範圍 
| 專利範圍 | 1.一種氣體感測器，其主要係包括有支架、第一絕緣層、介電層、第二絕緣層、加熱元件、感測層、電極及第三絕緣層；其中： 該支架上端設有該第一絕緣層，利用該支架將該第一絕緣層予以架高，使得於該支架與該第一絕緣層之間形成有散熱空間，於該第一絕緣層上端設置有該介電層，於該介電層上端外側設有該第二絕緣層，於該第二絕緣層內設有該加熱元件，另於該第二絕緣層之間設有該感測層，該感測層係為二氧化錫［SnO ２］半導體，於該感測層內則設有該電極，再於該第二絕緣層與該感測層上端設有該第三絕緣層，該第三絕緣層係為氮化矽［SiN x］，且該第三絕緣層之厚度為10nm。 2.如請求項1所述氣體感測器，其中，該第一絕緣層係為氧化矽［SiO 2］、氧化鋁［Al 2O 3］、氮化鋁［AlN］、氮化矽［SiN x］任一種，且該第一絕緣層之厚度為10nm~1000nm。 3.如請求項1所述氣體感測器，其中，該介電層係為氮化矽［SiN x］、氧化鋁［Al 2O 3］、氮化鋁［AlN］任一種。 4.如請求項1所述氣體感測器，其中，該第二絕緣層係為氧化矽［SiO 2］、氧化鋁［Al 2O 3］、氮化鋁［AlN］、氮化矽［SiN x］任一種，且該第二絕緣層之厚度為10nm~300nm。 5.如請求項1所述氣體感測器，其中，該感測層之厚度為50nm~500nm。 |
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