【I835100】磁石及其製造方法

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【I835100】磁石及其製造方法

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公告號	I835100 公開202337590
公告日	2024/03/11
公報卷期	51-08
證書號	I835100
申請號	111111736 E
申請日	2022/03/28
公報IPC	B22F 1/00(2022.01); B22F 3/00(2021.01); C22C 1/04(2023.01); H01F 1/057(2006.01); H01F 41/02(2006.01)
當前IPC	B22F 1/00(2022.01); B22F 3/00(2021.01); C22C 1/04(2023.01); H01F 1/057(2006.01); H01F 41/02(2006.01)
申請人	國立高雄科技大學高雄市燕巢區大學路1號 (中華民國); NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY NO. 1, DAXUE RD., YANCHAO DIST., KAOHSIUNG CITY 82445, TAIWAN (R.O.C.) (TW)
當前專利權人	國立高雄科技大學; NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
發明人	黃靖謙 (中華民國); HUANG, CHING-CHIEN (TW); 莫智傑 (中華民國); MO, CHIH-CHIEH (TW)
代理人	呂長霖
當前代理人	呂長霖
審查委員	陳愛琳
摘要	提供一種磁石及其製造方法，包括了第一細粉碎步驟和第二細粉碎步驟，且該第二細粉碎步驟中的分級輪轉速高於該第一細粉碎步驟中的分級輪轉速，該第二細粉碎步驟中的粉碎壓力低於該第一細粉碎步驟中的粉碎壓力。藉由在第一細粉碎步驟後新增第二細粉碎步驟，來改善磁石的粉體分布與粉體形貌，從而提升了磁石的磁力特性。此外，更進一步限定了壓製成生胚的所需密度，因此磁石不會在製作過程中產生破裂，容易成形。

參考文獻

引用專利	CN11044359A E; JP2021-155841A E; TWI755348B; TWI758224B

專利範圍

專利範圍

1.一種磁石的製造方法，包括以下步驟： S101：提供一釹鐵硼合金材料； S102：對該釹鐵硼合金材料進行一氫破碎步驟，以製得一氫破碎粉末，其中該氫破碎步驟包括一吸氫步驟，並不實施任何脫氫步驟； S103：對該氫破碎粉末進行一第一細粉碎步驟，以形成一第一合金粉末，其中該第一細粉碎步驟是在一第一分級輪轉速與一第一粉碎壓力下對該氫破碎粉末進行粉碎； S104：對該第一合金粉末進行一第二細粉碎步驟，以形成一第二合金粉末，其中該第二細粉碎步驟是在一第二分級輪轉速與一第二粉碎壓力下對該第一合金粉末進行粉碎，該第二分級輪轉速高於該第一分級輪轉速，該第二粉碎壓力低於該第一粉碎壓力，且該第二合金粉末之粒徑分佈的D90/D10比值是小於該第一合金粉末之粒徑分佈的D90/D10比值； S105：對該第二合金粉末進行一磁場配向成形步驟，該磁場配向成形步驟包括將該第二合金粉末壓製成一生胚，其中該生胚的密度大於3.8 g/cm 3且小於等於4.4 g/cm 3；以及 S106：對該生胚依序進行一脫氫步驟、一燒結步驟及一熱處理步驟。

2.如請求項1所述之方法，其中該第一合金粉末或該第二合金粉末之粒徑分佈的D50是介於2微米至6微米之間。

3.如請求項1所述之方法，其中該第二細粉碎步驟的粉碎時間是介於1分鐘至30分鐘之間。

4.如請求項1所述之方法，其中該第一細粉碎步驟和該第二細粉碎步驟是以一氣流粉碎機進行粉碎。

5.如請求項1所述之方法，其中該第一分級輪轉速是介於9000 rpm至10000 rpm之間，該第一粉碎壓力是介於0.5 MPa至0.7 MPa之間。

6.如請求項1所述之方法，其中該第二分級輪轉速是介於20000 rpm至24000 rpm之間，該第二粉碎壓力是介於0.4 MPa至0.5 MPa之間。

7.如請求項1所述之方法，其中該第一合金粉末之粒徑分佈的D90/D10比值是介於4.9至5.1之間，該第二合金粉末之粒徑分佈的D90/D10比值是介於4.5至4.7之間。

8.如請求項1所述之方法，其中該步驟S106中的脫氫步驟是將該生胚置於一氬氣環境，並自室溫加熱到550 ℃至600 ℃之間以脫氫，其中加熱速率小於每分鐘2 ℃，且該氬氣環境的氬氣分壓介於0.8 atm至1.0 atm之間。

9.如請求項8所述之方法，其中該燒結步驟是以介於10 -5torr至10 -4torr之間的一真空度，持續加熱到950 ℃至1050 ℃之間的溫度對脫氫後之生胚進行一真空燒結2小時至7小時，以形成一粗胚。

10.如請求項9所述之方法，其中該熱處理步驟是將該粗胚以介於10 -5torr至10 -4torr之間的真空度進行熱處理1小時至5小時，並於450 ℃至550 ℃之間進行熱處理，以製成該磁石。

11.一種磁石，其中該磁石是以如請求項1所述之方法製成，且該磁石的BH max大於52 MGOe，且iHc大於15.4 kOe。

12.如請求項11所述之磁石，其中該磁石的碳含量介於500 ppm至600 ppm之間。

13.如請求項11所述之磁石，其中該磁石的氧含量介於1200 ppm至1400 ppm之間。

14.如請求項11所述之磁石，其中該磁石的氮含量介於40 ppm至60 ppm之間。

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