【I386507】磁控濺鍍設備

公告號

I386507

公開 201042070

專利名稱

磁控濺鍍設備

公告日

2013/02/21

證書號

I386507

申請日

2009/05/19

申請號

098116586

國際分類號
/IPC

C23C-014/35(2006.01)

公報卷期

40-06

發明人

楊玉森 YANG, YU SEN;
黃煒盛 HUANG, WESLEY

申請人

國立高雄第一科技大學 NATIONAL KAOHSIUNG FIRST UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 高雄市楠梓區卓越路2號 TW

代理人

陳瑞田;
康清敬

參考文獻

TWM268355
TWM346604
TW200720456A
TW200730650A
EP0163445B1

US6413392B1

US2002/0108847A1

US2008/0169186A1

US2008/0242087A1

審查人員

李昭俊

摘要

本發明提出一種磁控濺鍍設備，包括一腔體、多個靶源、一置放座、多個第一磁鐵環與至少一第二磁鐵環。腔體具有一反應室與一圍繞反應室的壁體。靶源彼此相對地配置於反應室內。置放座配置於反應室內，並位於靶源之間，而第一磁鐵環與第二磁鐵環配置於腔體。各個第一磁鐵環具有一配置於壁體的第一磁極，而第二磁鐵環具有一配置於壁體的第二磁極。第一磁極與第二磁極二者的形狀皆為環形，且二者的磁性相反。

專利範圍

1.一種磁控濺鍍設備，在一工作磁場下進行濺鍍，並包括：一腔體，具有一反應室以及一圍繞該反應室的壁體；多個靶源，彼此相對地配置於該反應室內；一置放座，配置於該反應室內，並位於該些靶源之間，至少一被鍍件能置放於該置放座；多個第一磁鐵環，配置於該腔體，並圍繞該反應室，每一該些第一磁鐵環具有一配置於該壁體的第一磁極，且每一該些第一磁極的形狀為環形；以及至少一第二磁鐵環，配置於該腔體，並具有一配置於該壁體的第二磁極，其中該第二磁極的形狀為環形，該第一磁極的磁性與該些第二磁極的磁性相反，該工作磁場是由該些第一磁極與該第二磁極所產生。
2.如申請專利範圍第1項所述之磁控濺鍍設備，其中每一該些第一磁鐵環包括多個固設於該壁體的磁鐵，而該些磁鐵所具有的相同磁性之磁極形成該第一磁極。
3.如申請專利範圍第2項所述之磁控濺鍍設備，其中該些磁鐵皆為永久磁鐵。
4.如申請專利範圍第2項所述之磁控濺鍍設備，其中每一該些第一磁鐵環是由該些磁鐵所組成。
5.如申請專利範圍第1項所述之磁控濺鍍設備，其中該至少一第二磁鐵環包括多個配置於該壁體的磁鐵，而該些磁鐵所具有的相同磁性之磁極形成該第二磁極。
6.如申請專利範圍第5項所述之磁控濺鍍設備，其中該些磁鐵皆為永久磁鐵。
7.如申請專利範圍第5項所述之磁控濺鍍設備，其中該至少一第二磁鐵環是由該些磁鐵所組成。
8.如申請專利範圍第1項所述之磁控濺鍍設備，其中該些靶源皆為鉻金屬靶。
9.如申請專利範圍第1項所述之磁控濺鍍設備，其中該置放座包括：一旋轉馬達；一軸桿，連接該旋轉馬達；一旋轉盤，配置於該旋轉馬達上方，並連接該軸桿，其中該旋轉馬達用以驅動該軸桿旋轉，以帶動該旋轉盤旋轉；以及至少一吊線，連接該旋轉盤，其中該被鍍件透過該吊線而懸吊於該旋轉盤下方。
10.如申請專利範圍第1項所述之磁控濺鍍設備，其中該些第一磁鐵環與該至少一第二磁鐵環二者的總數量等於該些靶源的數量。
11.如申請專利範圍第1項所述之磁控濺鍍設備，其中每一該些第一磁鐵環對應於其中一個靶源，而該至少一第二磁鐵環對應於另一個靶源。
12.如申請專利範圍第1項所述之磁控濺鍍設備，其中該至少一第二磁鐵環的數量為多個，該些第二磁鐵環彼此相對地配置於該腔體，且每一該些第二磁鐵環具有一配置於該壁體的第二磁極。
13.如申請專利範圍第12項所述之磁控濺鍍設備，其中該些第一磁鐵環彼此相對地配置於該腔體。
14.如申請專利範圍第12項所述之磁控濺鍍設備，其中該些第一磁鐵環與該些第二磁鐵環分別對應該些靶源。
15.如申請專利範圍第12項所述之磁控濺鍍設備，其中該些第一磁鐵環與該些第二磁鐵環二者的總數量等於該些靶源的數量。

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