【I700384】氮化鉻薄膜的製造方法
公告號 |
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專利名稱 | 氮化鉻薄膜的製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING CHROMIUM NITRIDE FILM |
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公告日 | 2020/08/01 | ||
證書號 | I700384 | ||
申請日 | 2019/12/03 | ||
申請號 | 108144125 | ||
國際分類號 /IPC |
C23C-016/34(2006.01);C23C-016/44(2006.01);C23C-016/50(2006.01);C23C-016/511(2006.01);H01J-037/317(2006.01) | ||
公報卷期 | 47-22 | ||
發明人 | 陳弘穎 CHEN, HONG-YING; 楊偉勛 YANG, WEI-HSUN; 謝青諺 XIE, QING-YAN |
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申請人 | 國立高雄科技大學 NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 高雄市三民區建工路415號 TW | ||
代理人 | 黃耀霆 | ||
參考文獻 | TW201446363A 蕭富謙, 陳弘穎, 蔡政賢, “以常壓微波電漿火炬氮化鈦金屬薄膜之研究”, 國立高雄應用科技大學, 化學工程系碩士論文, 論文出版年2008, 國家圖書館上架日:2010/03/25, 電子全文共62頁。 |
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審查人員 | 林峯州 | ||
摘要 | 一種氮化鉻薄膜的製造方法,用以解決習知氮化鉻薄膜的製造方法需要使用真空設備的問題。該氮化鉻薄膜的製造方法包含:使一鉻鹽溶液於一基板上形成一薄膜前驅體;及於1000~1350℃之溫度、800~1100W的功率下,使用一常壓微波電漿,對該薄膜前驅體進行一常壓微波電漿退火處理3~5分鐘,以形成一氮化鉻薄膜。 | ||
專利範圍 | 1.一種氮化鉻薄膜的製造方法,包含:使一鉻鹽溶液於一基板上形成一薄膜前驅體;及於1000~1350℃之溫度、800~1100W的功率下,使用一常壓微波電漿,對該薄膜前驅體進行一常壓微波電漿退火處理3~5分鐘,以形成一氮化鉻薄膜;其中,該常壓微波電漿退火處理係使一電漿氣體轟擊該薄膜前驅體,該電漿氣體包含一中心氣體及一旋進氣體,該中心氣體為氮氣或一氮氫混合氣,該旋進氣體為氮氣,該中心氣體的流量為1SLM,該旋進氣流的流量為9SLM,該電漿氣體係來自一電漿源,該電漿源與該薄膜前驅體之間具有一轟擊距離,該轟擊距離為3~7cm。 2.如請求項1之氮化鉻薄膜的製造方法,其中,該氮氫混合氣包含體積百分比計為90%的氮氣及10%的氫氣。 |
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